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教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NECT-07-0329)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：王俊雷文吕文中更多>>
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发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：化学工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇电性能
  • 1篇有序度
  • 1篇微波介电
  • 1篇微波介电性能
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇NB
  • 1篇ZN
  • 1篇BA

机构

  • 1篇华中科技大学

作者

  • 1篇吕文中
  • 1篇雷文
  • 1篇王俊

传媒

  • 1篇现代技术陶瓷

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Ba缺位和烧结工艺对Ba_(1-x)Zn_(1/3)Nb_(2/3)O_3陶瓷离子有序度和微波介电性能的影响被引量：1
2011年
利用常规固相法制备了Ba1-xZn1/3Nb2/3O3(x=0～0.02)陶瓷,研究了Ba缺位对Ba1-xZn1/3Nb2/3O3陶瓷的相成分、B位离子长程有序度(LRO)和微波介电性能的影响规律。X射线衍射(XRD)结果显示,适量的Ba缺位可以提高材料的阳离子有序度,x=0.01时陶瓷具有最大的阳离子有序度;Ba缺位能有效改善Ba1-xZn1/3Nb2/3O3陶瓷的烧结特性,提高陶瓷的致密度和Q×f值;慢降温能够显著提高陶瓷的B位离子长程有序度,Ba1-xZn1/3Nb2/3O3(x=0.01)陶瓷在1450℃下烧结,以5℃/h速率降温后能获得最大Q×f值77719GHz。
王俊雷文吕文中
关键词：微波介电性能
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