邯郸市科学技术研究与发展计划项目(1155103119-4)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 相关作者：贾素梅邓建国杨瑞霞刘英坤辛启明更多>>
- 相关机构：中国电子科技集团第十三研究所河北工业大学邯郸学院更多>>
- 发文基金：邯郸市科学技术研究与发展计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SiGe HBT发射区台面自中止腐蚀技术研究被引量：1
- 2011年
- 台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中,发射区台面形成尤为关键。由于干法刻蚀速率难以精确控制,且易损伤SiGe外基区表面,SiGe自中止湿法腐蚀成为台面结构SiGe/Si异质结晶体管制作过程中的优选工艺。分析了SiGe自中止腐蚀的反应机理,对腐蚀条件包括掩蔽膜的选取,温度、超声等因素对腐蚀速率及均匀性的影响进行摸索,取得了较好结果,最终采用该技术完成了SiGe/Si npn型异质结晶体管的制作,测得其电流增益β>80,对采用台面结构制造SiGe/Si HBT具有一定参考价值。
- 贾素梅杨瑞霞刘英坤邓建国辛启明
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管干法刻蚀
- SiGe/Si异质结双极晶体管工艺技术研究
- 2012年
- 介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧姆接触等工艺技术进行研究,探索出关键工艺的控制方法,并对采用以上工艺技术制作的多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管进行了I-V特性及频率特性测试。结果显示该器件饱和压降小,欧姆接触良好,直流电流放大倍数β随Ic变化不大,截止频率最高达到11.2 GHz。
- 贾素梅杨瑞霞刘英坤邓建国高渊
- 关键词：SIGE/SI异质结双极晶体管
