国家重点基础研究发展计划(2006CB0N0604)
- 作品数：7 被引量：33H指数：4
- 相关作者：陈宝钦赵珉刘明谢常青牛洁斌更多>>
- 相关机构：中国科学院微电子研究所湛江师范学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 微光刻与微/纳米加工技术(续)被引量：6
- 2011年
- 2下一代光刻技术
虽然光学光刻技术为微电子技术突飞猛进的发展立下了汗马功劳,创造了一次又一次的人间奇迹,然而目前集成电路特征尺寸也越来越接近物理极限。为开发研究新一代的光刻技术,近年来世界各大国和各国著名的大公司联合开展下一代光刻技术的研究与开发，
- 陈宝钦
- 关键词：纳米加工技术下一代光刻技术微光刻光学光刻技术微电子技术特征尺寸
- 复杂掩模图数据处理与转换的研究被引量：3
- 2012年
- 将数字图像处理理论和算法引入到掩模版图数据处理与转换系统中,开发了相应的数据处理与转换软件模块。实现了bmp图像文件的输入、图像的灰度量化、对比度拉伸、反转、边缘检测、多边形近似及版图文件的输出。实验结果证明,该软件能将含有较复杂图形的bmp文件成功地转换为GDSII版图文件。
- 赵珉汤跃科陈宝钦李金儒胡勇
- 关键词：图像处理数据转换BMP文件
- HSQ用于电子束曝光的性能分析被引量：1
- 2008年
- 作为一种非化学放大的无机负性电子束光刻抗蚀剂,HSQ(hydrogen silsesquioxane)具有极高的分辨率(约5 nm),由于灵敏度较低,限制了其在微纳米加工方面的应用。从化学结构变化的角度分析了HSQ在电子束曝光中的性能,通过实验验证了其灵敏度及对比度受前烘温度及显影液浓度的影响较大,并且其在电子束曝光中的邻近效应也可以通过改变这两个条件而得到一定的抑制。根据所得优化工艺条件,在450 nm胶层上,制作出100 nm等间距光栅结构胶层图形,且其侧壁陡直性良好。
- 赵珉陈宝钦刘明谢常青朱效立
- 关键词：电子束曝光技术
- 电子散射参数提取的新方法被引量：1
- 2010年
- 准确提取电子散射参数是确保纳米级电子束光刻邻近效应校正精度的关键。采用了一种不基于线宽测量和非线性曲线拟合的电子散射参数提取的方法。邻近效应校正的近似函数采用双高斯分布,其中η的提取是基于设计线宽变化与相应曝光剂量之间的线性关系进行拟合而得;α和β的提取则是分别根据前散射和背散射的范围设计特定的提取版图,并根据电子束邻近效应产生的特殊现象进行参数值的确定。根据此方法提取了150nm厚负性HSQ抗蚀剂层在50kV入射电压下的散射参数,并将其应用于邻近效应校正曝光实验中,很好地克服了电子束邻近效应的影响,验证了此方法提取电子束曝光邻近效应校正参数的实用性及准确性。
- 赵珉陈宝钦谢常青刘明牛洁斌
- 关键词：电子束光刻邻近效应校正电子散射散射参数微细加工抗蚀剂
- 微光刻与微/纳米加工技术被引量：14
- 2011年
- 介绍了微电子技术的关键工艺技术——微光刻与微/纳米加工技术,回顾了中国制版光刻与微/纳米加工技术的发展历程与现状,讨论了微光刻与微/纳米加工技术面临的挑战与需要解决的关键技术问题,并介绍了光学光刻分辨率增强技术、下一代光刻技术、可制造性设计技术、纳米结构图形加工技术与纳米CMOS器件研究等问题。近年来,中国科学院微电子研究所通过光学光刻系统的分辨率增强技术(RET),实现亚波长纳米结构图形的制造,并通过应用光学光刻系统和电子束光刻系统之间的匹配与混合光刻技术及纳米结构图形加工技术成功研制了20～50nm CMOS器件和100nm HEMT器件。
- 陈宝钦
- 关键词：微光刻技术分辨率增强技术下一代光刻技术可制造性设计
- 电子束抗蚀剂图形结构的倒塌与粘连被引量：5
- 2011年
- 首先从实验现象出发,阐述了纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构发生倒塌与粘连的主要几何因素及其关系。除了结构的几何因素外,结合"Beam Sway"模型分析了抗蚀剂微细结构在制作过程中的受力情况。在上述工作的基础上,提出了克服纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构倒塌与粘连的相应措施。其中,通过实验验证了超临界CO2干燥技术对于电子束抗蚀剂ZEP520A用于制作周期200nm及150nm、深宽比超过4的光栅图形结构具有良好的效果。
- 赵珉陈宝钦牛洁斌谢常青刘明
- 关键词：电子束光刻抗蚀剂高深宽比
- 电子束光刻技术与图形数据处理技术被引量：13
- 2011年
- 介绍了微纳米加工领域的关键工艺技术——电子束光刻技术与图形数据处理技术,包括:电子束直写技术、电子束邻近效应校正技术、光学曝光系统与电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术、电子束曝光工艺技术、微光刻图形数据处理与数据转换技术以及电子束邻近效应校正图形数据处理技术。重点推荐应用于电子束光刻的几种常用抗蚀剂的主要工艺条件与参考值,同时推荐了可以在集成电路版图编辑软件L-Edit中方便调用的应用于绘制含有任意角度单元图形和任意函数曲线的复杂图形编辑模块。
- 陈宝钦
