江苏省高校高新技术产业发展项目(BG2004022)
- 作品数：10 被引量：45H指数：4
- 相关作者：陈志刚李霞章陈杨陈建清杨建平更多>>
- 相关机构：江苏大学江苏工业学院河海大学更多>>
- 发文基金：江苏省高校高新技术产业发展项目江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺化学工程电气工程更多>>
- 醇水法制备纳米粉体原理及应用被引量：16
- 2006年
- 传统液相法制备纳米粉体遇到的普遍性问题是粒径尺寸难控制,颗粒易团聚,而将醇水法引入到液相合成过程中不仅可以降低粒径而且能大大改善其分散性,本文从热力学的角度分析了醇水法的理论根据,对其在液相法中应用的国内外报道进行了介绍,并提出了存在的问题和研究展望。
- 李霞章陈志刚陈建清陈杨
- 关键词：纳米粒径分散性介电常数
- 超声场对醇/水反应体系制备纳米CeO_2粉体影响研究被引量：6
- 2007年
- 在超声辐射条件下,以Ce(NO3)3.6H2O和六亚甲基四胺(HMT)为原料,使用醇/水反应体系制备了纳米CeO2粉体。采用透射电子显微镜(TEM)、平衡发射极晶体管(BET)对制备的纳米CeO2粉体进行了表征。研究了超声功率以及醇/水反应体系对纳米CeO2粉体粒径和团聚情况的影响,并探讨了其作用机理。结果表明,使用醇/水反应体系以及适当的超声辐射均有利于制备出粒径更小、分散性更好的纳米CeO2粉体,但过高的超声功率则易导致颗粒间的团聚;而且超声辐射能够显著加快反应速度。制备出的CeO2粉体的平均粒径小于10 nm,粒度分布窄,单分散性好。
- 陈杨陈志刚李霞章陈爱莲
- 关键词：纳米CEO2超声辐射超声功率
- 醇水均匀沉淀法制备纳米CeO_2粉体工艺及机理研究被引量：3
- 2006年
- 在醇-水体系中以六亚甲基四胺(HMT)为缓释沉淀剂制备了纳米CeO_2粉体,并用TEM和BET对其进行了表征,考察了制备过程中工艺参数对CeO_2粉体颗粒大小及团聚的影响,并对影响机理进行了探讨。结果表明：在较佳工艺条件下制备的纳米CeO_2平均尺寸约为8nm,与传统的水溶液均匀沉淀法相比较,该方法得到的粉体粒径更小,且分散性好。
- 李霞章陈志刚陈建清陈杨
- 关键词：纳米CEO2透光率沉淀法
- CeO_2基中温电解质材料的掺杂改性被引量：6
- 2006年
- CeO2基材料作为一种很有前景的中、低温固体电解质材料,在具有高的离子导电性能的同时,还要保证具有工作条件下的化学稳定性能,以及很好的烧结性能和机械性能。综述了通过掺杂改性来提高CeO2基电解质材料的电性能、烧结性能和机械性能方面的研究进展,比较了各类掺杂制备方法,并指出液相掺杂中的共沉淀法和均匀沉淀法是目前制备CeO2基电解质材料最有效的方法,最后对CeO2基电解质材料研究的发展方向提出了展望。
- 杨建平陈志刚李霞章陈杨
- 关键词：掺杂
- 超声雾化技术在无机盐合成中的应用被引量：4
- 2008年
- 介绍了超声雾化的工作原理以及在无机盐合成领域中的应用,着重阐述了超声雾化技术在制备纳米级氧化物和复合物中的作用,对雾化的特点和影响因素进行了讨论。对超声雾化技术在无机盐合成方面的应用进行了展望,提出了一种制备纳米材料的新方法——空中化学沉淀反应法。超声雾化的雾滴尺寸细小,分布均匀,雾化效果容易控制。渴望在雾化原理方面做深入研究。
- 邵美苓陈彩凤陈志刚
- 关键词：超声波超声雾化
- 基于不同醇的醇水法制备纳米CeO_2的研究被引量：6
- 2006年
- 在四种醇水体系中，以HMT为缓释沉淀剂制备了纳米CeO2粉体。研究了醇的种类、醇水比例及煅烧温度对纳米CeO2颗粒尺寸的影响；并用XRD，BET，TEM，TGA／DSC等表征方法对其影响机理进行了探讨。结果表明：溶剂从甲醇到异丙醇变化时，颗粒逐渐增大；异丙醇到正丁醇时，颗粒尺寸略有降低，且煅烧前颗粒尺寸均介于10～20nm之间。
- 李霞章陈杨陈志刚陈建清
- 关键词：无机非金属材料纳米CEO2空间位阻介电常数
- 纳米Ce_(0.8)Gd_(0.2)O_(1.9-δ)粉体的雾化共沉淀合成及表征被引量：2
- 2007年
- 以Ce(NO3)3.6H2O和Gd(NO3)3.6H2O为原料,NH4HCO3作沉淀剂,用雾化共沉淀法合成了Ce0.8Gd0.2O1.9-δ纳米粉体。用X射线衍射仪、透射电镜和比表面测试仪等分析测试手段,对所合成粉体的晶形、形貌和粒度等进行了分析表征。结果表明:所合成粉体为立方萤石结构,颗粒呈近球形,尺寸较小,粒径大小均匀,一次粒径在15 nm左右,且分散性较好。
- 杨建平陈志刚李霞章
- 关键词：雾化共沉淀
- 超声辐射醇水体系制备纳米CeO_2粉体及其抛光性能研究
- 2007年
- 在超声辐射条件下,使用正丁醇/水反应体系通过均相沉淀法制备了纳米CeO2粉体;将所制备的纳米CeO2粉体作为磨料对硅晶片进行抛光,用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌并测量表面粗糙度;研究了超声场以及醇/水反应体系对纳米CeO2粉体粒径和团聚情况的影响,考察了纳米CeO2磨料对硅晶片的抛光效果。结果表明:超声辐射以及醇/水反应体系均有利于制备出粒径更小,且分散性更好的纳米CeO2粉体;使用纳米CeO2磨料抛光的硅晶片表面最终在2μm×2μm范围内的微观粗糙度值为Ra0.108nm,而且抛光表面非常平整。
- 陈杨陈志刚李霞章陈爱莲
- 关键词：纳米CEO2超声场抛光
- 雾化共沉淀法制备Ce_(0.8)Gd_(0.2)O_(1.9)纳米粉体
- 2007年
- 采用雾化加料的方式,以碳酸氢铵为沉淀剂,制备了纳米Ce0.8Gd0.2O1.9粉体。探寻了制备过程中影响粉体颗粒大小及团聚的工艺参数,并对影响机理进行了探讨。结果表明:将沉淀剂雾化加入的工艺有利于得到分散性好、尺寸均匀的纳米粉体。在最佳工艺参数点,即(Ce3++Gd3+)浓度为0.2 mol/L,反应温度为60℃,r[AHC∶(Ce3++Gd3+)]为3∶1,制得的纳米Ce0.8Gd0.2O1.9颗粒粒径在15 nm左右。
- 杨建平陈志刚李霞章陈杨
- 关键词：无机非金属材料纳米共沉淀雾化
- 纳米磨料对GaAs晶片的抛光研究被引量：2
- 2006年
- 通过均相沉淀法制备了纳米CeO2和Al2O3粉体,研究了在相同抛光条件下纳米CeO2、SiO2和Al2O3磨料对GaAs晶片的抛光效果,并用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌并测量表面粗糙度。结果表明,使用纳米CeO2磨料抛光后的表面具有最低的表面粗糙度,在1μm×1μm范围内表面粗糙度Ra值为0.740nm,而且表面的微观起伏更趋于平缓。文中还探讨了GaAs晶片化学机械抛光材料去除机理,考虑了纳米磨料在抛光条件下所发生的自身变形,并分析了纳米磨料硬度对抛光表面粗糙度的影响,初步解释了在相同的抛光条件下不同硬度的纳米磨料为什么具有不同的抛光表面粗糙度。
- 陈杨李霞章陈志刚陈爱莲
- 关键词：抛光粗糙度
