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国家自然科学基金(6977001)

作品数：2 被引量：5H指数：2
相关作者：彭毅萍高鸿钧张永平庞世谨闫隆更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇扫描隧道显微...
  • 1篇自组织生长
  • 1篇硅衬底
  • 1篇费米
  • 1篇费米面
  • 1篇半导体
  • 1篇STM
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇闫隆
  • 2篇庞世谨
  • 2篇张永平
  • 2篇高鸿钧
  • 2篇彭毅萍

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2001
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Ge在Si(111)7×7表面的选择性吸附被引量：4
2001年
利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下Ge在Si( 111) 7× 7表面上初期吸附过程 .在Ge所形成团簇中存在一个临界核 .这些Ge团簇的吸附中心总是在三个增原子所围成的区域中 .它们的电子结构具有类似半导体的性质 ,即其局域态密度在远离费米面的能级处很大 ,而在费米面附近的能级处非常小 .
闫隆张永平彭毅萍庞世谨高鸿钧
关键词：扫描隧道显微镜费米面
在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格被引量：2
2002年
利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111) (7× 7)表面上的自组织生长 .通过控制Ge的沉积量 ,在Si(111) (7× 7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格 .构成超晶格的Ge团簇均位于 (7× 7)亚单胞的位置上 ,而且它们的形状和大小基本保持一致 .
闫隆张永平彭毅萍庞世谨高鸿钧
关键词：扫描隧道显微镜STM半导体自组织生长硅衬底
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