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重庆市教育委员会科学技术研究项目(020804)

作品数：3 被引量：11H指数：2
相关作者：王万录马勇廖克俊孙晓楠吕建伟更多>>
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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇氧化锌
  • 1篇退火
  • 1篇退火处理
  • 1篇气敏
  • 1篇气敏特性
  • 1篇微结构
  • 1篇稳定性
  • 1篇膜结构
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米ZNO
  • 1篇沉淀法

机构

  • 3篇重庆大学

作者

  • 3篇廖克俊
  • 3篇马勇
  • 3篇王万录
  • 1篇吕建伟
  • 1篇孙晓楠
  • 1篇葛芳芳

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇光电子技术
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2004
  • 2篇2003
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
退火处理对纳米ZnO膜结构及气敏特性的影响被引量：1
2003年
用X射线衍射和透射电镜表征了直接沉淀法制得的纳米ZnO粉体的晶型、晶格常数、粒径及形貌等。研究了退火对纳米ZnO粉体制成的膜气敏性质和微结构的影响。结果表明低温退火可以改善ZnO膜的微结构和气敏效应的稳定性。
马勇王万录廖克俊葛芳芳
关键词：气敏特性退火沉淀法微结构
ZnO薄膜的择优取向生长被引量：4
2003年
ZnO薄膜是一种具有广泛用途的材料,近来成为了研究的热点。高度c轴择优取向是优质ZnO薄膜的重要特点。在已开发的众多生长技术中,磁控溅射、金属有机物气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、电子束反应蒸镀法是生长出高度c轴择优取向优质薄膜的主要方法。介绍了这些方法及其研究进展,同时介绍了目前ZnO薄膜主要研究方面。
马勇王万录廖克俊
关键词：ZNO薄膜氧化锌电导率稳定性
真空蒸发法择优定向生长ZnO薄膜被引量：6
2004年
研究了 ( 0 0 2 )向择优生长 Zn O薄膜。利用真空蒸发法制备 Zn O薄膜 ,衬底材料是镜面抛光石英片。实验结果表明 ,用此方法可获得高度择优定向生长的 Zn O薄膜 ,氧化退火温度对Zn O薄膜的结构有重要影响。
马勇王万录廖克俊吕建伟孙晓楠
关键词：ZNO薄膜
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