国家高技术研究发展计划(2006AA04A109)
- 作品数：18 被引量：70H指数：5
- 相关作者：张春王敬超王志华李永明毛陆虹更多>>
- 相关机构：清华大学天津大学天津商业大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金北京市科技计划项目更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 一种超高频RFID读写器设计被引量：17
- 2008年
- 本文提出了一种超高频RFID读写器的实现方案,介绍了读写器的系统硬件结构,分析了ISO/IEC 18000-6 Type B协议标准,在此基础上重点阐述了RFID读写器的软件设计流程以及防冲突算法的实现。
- 王海峰王敬超张春王志华
- 关键词：射频识别读写器超高频ISO/IEC
- 基于开关运放的低功耗逐次逼近ADC设计被引量：1
- 2008年
- 基于UMC 0.18混合信号工艺,设计了一种低功耗逐次逼近ADC,重点考虑了功耗的优化和电路的改进,采用了开关运放技术,降低了传统缓冲器30%左右的能量消耗,同时比较器低功耗的设计也使该ADC节能的优点更加突出,同时比较器采用了失调校准技术,这样就能够满足10 bit精度的要求。在电源电压1.8 V、采样频率100 kHz的条件下,仿真得到该逐次逼近ADC信噪比为61.66 dB,而静态功耗仅为26μW。该设计的芯片版图面积为1 mm×1 mm。
- 乔峻石李冬梅
- 关键词：开关运放
- UHF RFID标签基带处理器的低功耗设计被引量：2
- 2009年
- 随着超高频RFID标签的应用越来越广泛,在提高其性能上的需求也越来越迫切。对于无源标签,工作距离是一个非常重要的指标。要提高工作距离,就要降低标签的功耗。着重从降低功耗方面阐述了一款基于ISO18000-6TypeC协议的UHF RFID标签基带处理器的设计。简要介绍了设计的结构,详细阐述了各种低功耗设计技术,如动态控制时钟频率、寄存器复用、使用计数器和组合逻辑代替移位寄存器、异步计数器、门控时钟等的应用。结果证明,这些措施有效地降低了功耗,仿真结果为在工作电压为1V,时钟为2.5MHz时,功耗为4.8μW;目前实现了前三项措施的流片,测试结果表明工作电压为1V,时钟为2.5MHz时,功耗为8.03μW。
- 王晓晖张春马长明吴行军朱秋玲
- 关键词：射频识别超高频标签基带处理器低功耗
- 一种无源UHF RFID电子标签验证开发平台(英文)被引量：3
- 2007年
- 提出了一种符合ISO/IEC18000-6B标准的无源UHF RFID电子标签验证开发平台,其工作在915MHzISM频带下.该平台有效减少了设计开发时间及成本,并实现了电子标签的快速原型设计.该平台包括RFID模拟前端以及采用Altera ACEX FPGA实现的标签控制逻辑.RFID模拟前端采用Chartered 0.35μm2P4M CMOS工艺进行流片,包括本地振荡器、时钟产生电路、复位电路、匹配网络和反向散射电路、整流器、稳压器以及AM解调器等.通过调整FPGA中的标签控制逻辑,该平台实现了快速、灵活而高效的RFID验证开发.
- 陈力颖侯春萍毛陆虹吴顺华徐振梅王振兴
- 关键词：RFID电子标签FPGA
- 低功耗无源超高频射频识别应答器芯片的射频电路设计与实现
- 2007年
- 提出了一种符合ISO/IEC18000-6B标准的高性能低功耗无源超高频（UHF）射频识别（RFID）应答器芯片的射频电路。该射频电路除天线外无外接元器件,通过肖特基二极管整流器从射频电磁场接收能量。其构成包括本地振荡器、时钟产生电路、复位电路、匹配网络和反向散射电路、整流器、稳压器以及AM解调器等几个主要模块。该射频电路芯片采用支持肖特基二极管和EEPROM的Chartered 0.35μm 2P4M CMOS工艺进行流片,测试结果表明其读取距离大于3m,在915MHzISM频带下工作时其电流小于8μA,该芯片核心面积为300μm×720μm。
- 陈力颖毛陆虹吴顺华郑轩李彦明
- 关键词：低功耗射频电路
- 一种用于无源UHF RFID应答器的阻抗匹配方法(英文)被引量：2
- 2008年
- 提出了一种可以在915MHz ISM频带下工作的、符合ISO/IEC18000-6B标准的无源UHF RFID应答器的阻抗匹配方法.该UHF RFID应答器具有复数阻抗并从射频电磁场接收能量.该阻抗匹配方法利用天线的寄生电感,通过调整反向散射电路的电容来改变匹配网络的容抗,从而实现ASK调制.而且,该阻抗匹配方法在阅读器、天线与应答器之间达到了最大的功率传输.采用该阻抗匹配方法的应答器芯片通过支持肖特基二极管和EEPROM的Chartered0.35μm2P4M CMOS工艺进行流片,经测试其工作距离约为4m.
- 陈力颖毛陆虹吴顺华郑轩
- 关键词：阻抗匹配RFID
- 超高频RFID读写器调制解调模块的设计被引量：5
- 2008年
- 分析了超高频RFID读写器的系统结构,设计了用于读写器射频收发机中调制和解调的模块,并在0.18μm CMOS工艺下进行了流片验证.测试结果表明,调制器输入1dB压缩点可达14dBm,插入损耗为1.17dB,关断时隔离为33dB,输入输出端皆匹配在50Ω;解调器输入1dB压缩点可达5dBm,噪声系数仅9dB,而且具有4.9dB的电压增益,克服了传统结构没有正增益的缺点;两者均无直流功耗.
- 高天宝王敬超张春李永明王志华
- 关键词：射频识别读写器解调器
- 基于Hash锁的同步强化RFID验证协议被引量：12
- 2009年
- 针对基于Hash函数和密钥更新机制的无线射频识别(RFID)安全协议可能导致数据同步,使得标签认证失败的问题,对几种RFID安全协议保护同步的方法进行分析,指出它们的特点和局限,在此基础上提出基于Hash锁的同步强化RFID安全协议。该协议在数据库记录中添加保护数据同步的密钥Kp,解决了数据同步问题。分析结果表明该协议实现了防止信息泄露、不可追踪性和数据同步等要求,且计算复杂度低。
- 白煜滕建辅张立毅郭继昌
- 关键词：无线射频识别隐私安全
- 扩频技术在射频识别系统中的应用被引量：1
- 2008年
- 本文提出了一种应用于射频识别系统从RFID标签到读卡器的反向链路通信的扩频解扩方法。该方法能够提高RFID系统中标签向读卡器反射信号的抗干扰、抗噪声、抗多径衰落和保密性能,可方便地植入到基于任何RFID通讯协议的RFID系统中。
- 李敏王敬超张春李永明王志华
- 关键词：射频识别扩频技术误码率
- 标准CMOS工艺光电二级管及光标签的研制
- 2011年
- 提出了一种作为无源射频(RFID)识别标签电源的光电二极管。此方案采用光电转换获取能量的方式替代传统电磁辐射获得能量的方式,克服了传统方案中RFID读写器辐射强且RFID Tag抗干扰能力差的缺点。光电二极管采用标准UMC 0.18μm CMOS工艺制作在RFID Tag上。研究了光电二极管的光伏及伏安特性,并给出了实验结果;使用低压测试电路对制作完毕的PD进行了功率输出性能实验,实验结果证明PD满足设计指标和后续电路的使用要求;对实验数据进行系统建模和参数估计,建立了可以应用于Cadence仿真环境的光电二极管模型;最后,利用仿真模型进行光标签的设计,流片测试结果证明了光标签的可行性。
- 魏琪张春
- 关键词：射频识别互补型金属氧化物半导体光电二极管仿真模型光标签
