教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-11-0127)
- 作品数：3 被引量：10H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 银膜厚度对低辐射玻璃光学性能的影响被引量：3
- 2013年
- 利用TFCalc软件模拟了银膜和TiO2膜厚度对TiO2/Ag/Ti/TiO2膜系光学性能的影响,根据模拟结果利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了不同银膜厚度的TiO2/Ag/Ti/TiO2低辐射薄膜,并对银膜的连续性及其低辐射玻璃的透射率进行了研究。结果表明:银膜形成连续薄膜的临界厚度约为15nm,在该临界厚度下制备低辐射玻璃的可见光透射率可达81%,且W70接近330nm,当银膜厚度为20nm时不能获得高的可见光透射率。
- 徐兴红周灵平彭坤朱家俊李德意李绍禄
- 关键词：低辐射玻璃连续性银膜光学性能
- 氢气对AlN薄膜择优取向的作用机制被引量：2
- 2013年
- 采用脉冲反应磁控溅射方法在Si衬底上沉积了(100)和(002)择优取向的AlN薄膜,随着溅射功率的降低或氢气浓度的增加,放电电压下降,沉积粒子能量降低,薄膜由(002)取向逐渐向(100)取向转变。在溅射气氛中加入氢气后,薄膜中的氧含量降低,表面形貌与表面粗糙度均随着择优取向的改变发生变化。溅射功率及氢气浓度对AlN薄膜择优取向的影响规律表明,氢气主要是通过降低沉积粒子的能量和在衬底表面产生吸附两种作用方式来影响AlN薄膜的择优取向。
- 姜川周灵平彭坤朱家俊李德意
- 关键词：ALN薄膜反应磁控溅射溅射功率
- Al/Cu键合系统中金属间化合物的形成规律及防止方法被引量：5
- 2013年
- Al/Cu键合界面金属间化合物的形成是导致微电子器件失效的重要因素之一,总结了微电子器件生产和使用过程中Al/Cu键合界面金属间化合物的生长规律,分析了Al/Cu键合系统的失效机制。热超声键合过程中,Al焊盘上氧化铝层的破裂使金属间化合物的形成成为可能,键合及器件使用过程中,金属间化合物和柯肯德尔空洞的形成和长大最终导致键合失效。采用在Al焊盘上镀覆Ti过渡层的方法,可有效降低键合系统中Cu原子的扩散速度,抑制金属间化合物的生长,从而提高电子元器件的可靠性。
- 岳安娜彭坤周灵平朱家俊李德意
- 关键词：AL金属间化合物扩散
