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国家自然科学基金(11023003)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：王新强杨彦楠黄呈橙许福军卢励吾更多>>
相关机构：北京大学更多>>
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相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电流
  • 1篇电容
  • 1篇电压
  • 1篇电压特性
  • 1篇变频
  • 1篇表面态

机构

  • 1篇北京大学

作者

  • 1篇沈波
  • 1篇卢励吾
  • 1篇许福军
  • 1篇黄呈橙
  • 1篇杨彦楠
  • 1篇王新强

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
InAlN材料表面态性质研究被引量：2
2013年
运用电流-电压(I-V),变频电容-电压(C-V)和原子力显微镜(AFM)技术研究In组分分别为15%,17%和21%的Ni/Au/-InAlN肖特基二极管InAlN样品表面态性质(表面态密度、时间常数和相对于InAlN导带底的能级位置).I-V和变频C-V方法测量得到的实验结果表明,随着In组分增加,肖特基势垒高度逐渐降低,表面态密度依次增加.变频C-V特性还表明,随着测试频率降低,C-V曲线有序地朝正电压方向移动,该趋势随着In组分的增加而变得更加明显,这可能归结于InAlN表面态的空穴发射.AFM表面形貌研究揭示InAlN表面粗糙度增加可能是表面态密度增加的主要原因.
杨彦楠王新强卢励吾黄呈橙许福军沈波
关键词：表面态电流电压特性电压特性
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