北京市教委基金资助项目(KM200310005009)
- 作品数：7 被引量：22H指数：2
- 相关作者：沈光地徐晨舒雄文田增霞李兰更多>>
- 相关机构：北京工业大学中国科学院更多>>
- 发文基金：北京市教委基金资助项目国家重点基础研究发展计划北京市科委基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 电子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究被引量：11
- 2006年
- 研究了沉积时真空室真空度、基片温度和沉积速率对常用电子束蒸发非晶硅（a-Si）光学薄膜的折射率和消光系数的影响。结果表明，在300～1100nm的波长范围内，真空室真空度、基片温度和沉积速率越高，则所得a-Si薄膜折射率越高，消光系数越大。并将实验结果用于半导体激光器腔面高反镜用a—Si膜镀制，发现在选择初始真空为1E-6×133 Pa、基片温度为100℃和沉积速率为0．2nm／s时所得高反镜的光学特性比较好，在808nm处折射率和消光系数分别为3．1和1E-3。
- 舒雄文徐晨田增霞罗丹沈光地
- 关键词：消光系数半导体激光器
- Si/Ti/Au/Si键合技术研究及其应用被引量：9
- 2004年
- 运用Si/Ti/Au/Au/Ti/Si在N2保护下及420℃左右,成功地实现了Au/Si共熔键合,成品率达到90%以上。该键合方法能进行选择区域键合,完全避免了由于Si/Si熔融键合过程中高温退火给微电子机械系统(MEMS)器件带来的畸变甚至失效,为新型室温红外探测器的研制奠定了良好的工艺基础,是此类结构MEMS器件的理想键合封装方法。
- 杨道虹徐晨李兰吴苗沈光地
- 关键词：微电子机械系统高温退火
- 电子束蒸发Ar离子辅助沉积Si光学薄膜的特性被引量：2
- 2006年
- 对用常规电子束蒸发和Ar离子辅助沉积所得的非晶硅光学薄膜的光学常数、表面形貌、热稳定性和湿度稳定性等进行了研究。结果发现Ar离子辅助沉积所得非晶硅光学薄膜的折射率大大提高,表面粗糙度明显降低,湿度稳定性和热稳定性也得到较大改善,但是光学带隙变窄,光学吸收增加。
- 舒雄文徐晨田增霞沈光地
- 关键词：光学薄膜离子辅助沉积光学常数
- 一种新型键合工艺的理论和实验研究被引量：2
- 2004年
- 为了实现在较低超净环境下的硅／硅直接键合,提出了在乙醇的环境中进行硅／硅键合的方法,并建立了合理的物理模型,在常温、常压和低于10万级超净环境下,用普通的国产硅片进行了无水乙醇环境下的硅／硅直接键合实验.键合后进行了拉力强度测试和SEM观测,发现界面没有孔洞,说明键合质量达到了要求.拉力测试结果表明,其键合强度达到了10MPa,初步验证了该方法的可行性.
- 杨道红徐晨董典红李兰吴畯苗张剑铭阳启明金文贤邹德恕沈光地
- 关键词：微电子机械系统乙醇
- 高反膜的计算机模拟及对实践的指导意义
- 2006年
- 本文利用计算机对多层介质高反膜反射谱的模拟发现,当构成高反膜系的高、低两种折射率材料的光学厚度不一致时,反射带两侧的第一个谷值的大小将不同,据此作者认为在高反膜镀制时可根据反射带两侧第一个谷值大小情况来调节高反膜中单层膜厚度,实验结果证明了模拟结果的正确性,同时也确证了作者提出的这种方法是可行的。
- 舒雄文田增霞徐晨沈光地
- 关键词：高反膜光学厚度
- LD内损耗测试新方法
- 2006年
- 提出了一种新的测试LD内损耗方法,它通过对后腔面镀高反膜,并对前腔面镀不同反射率增透膜,然后根据外微分量子效率倒数1/ηe与1/ln[1/(RfRr)的线性关系(Rf和Rr分别为前后腔面反射率)求出内损耗值。这样可以消除常用的测试LD内损耗方法中因管座反射带来的误差,使误差降低达15%。
- 舒雄文徐晨田增霞沈光地
- 关键词：光功率
- CF_4等离子处理在低温硅片直接键合中的应用
- 2006年
- 键合前用CF4等离子体对硅片表面进行处理,经亲水处理后,完成对硅片的预键合。再在N2保护下进行40h 300℃退火,获得硅片的低温直接键合。硅片键合强度达到了体硅的强度。实验表明,CF4对硅片的处理不仅可以激活表面,而且可以对硅片表面进行有效的抛光,大大加强了预键合的效果。
- 霍文晓徐晨杨道虹赵林林赵慧沈光地
- 关键词：微电子机械系统直接键合等离子体
