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四川省应用基础研究计划项目(2008JY0057)

作品数:8 被引量:25H指数:3
相关作者:潘笑风廖家轩张佳王洪全傅向军更多>>
相关机构:电子科技大学更多>>
发文基金:四川省应用基础研究计划项目国家教育部博士点基金电子科技大学中青年学术带头人培养计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 7篇钛酸锶
  • 7篇钛酸锶钡
  • 7篇钛酸锶钡薄膜
  • 6篇介电
  • 5篇电性能
  • 5篇介电性
  • 5篇介电性能
  • 4篇BST薄膜
  • 3篇溶胶
  • 2篇性能研究
  • 2篇铈掺杂
  • 2篇钙钛矿结构
  • 2篇掺杂
  • 2篇BA
  • 1篇乙烯
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇溶胶-凝胶法
  • 1篇溶胶-凝胶法...
  • 1篇铁氧体
  • 1篇退火

机构

  • 8篇电子科技大学

作者

  • 8篇傅向军
  • 8篇王洪全
  • 8篇张佳
  • 8篇廖家轩
  • 8篇潘笑风
  • 5篇魏雄邦
  • 3篇田忠

传媒

  • 5篇稀有金属材料...
  • 2篇无机材料学报
  • 1篇硅酸盐通报

年份

  • 8篇2009
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
交替中间热处理BST薄膜介电性能研究被引量:4
2009年
用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了三种钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)薄膜:常规的四层薄膜,在逐层制备过程中,对首层薄膜进行中间热处理(Preheat-treatment,PT)的四层薄膜及间隔或交替地对奇数层薄膜进行中间热处理(称为交替中间热处理(Alternate-preheat-treatment,APT))的八层薄膜.用XPS研究薄膜表面成分化学态,用SEM和AFM观察表面形貌及晶化,并进行了介电性能测试.结果表明,常规薄膜介电性能差;经PT,薄膜裂纹和缩孔显著减少,形貌明显改善,表面非钙钛矿结构显著减少,介电性能明显提高;经APT,薄膜形貌进一步改善,平均晶粒大小约30nm,非钙钛矿结构进一步减少,介电损耗明显降低,介电稳定性和介电强度大幅度提高.APT为制备退火温度低及结构均匀致密的纳米晶BST薄膜提供了新方法,可满足低频实用要求.退火温度对薄膜厚度的影响也进行了讨论.
廖家轩魏雄邦潘笑风张佳傅向军王洪全
关键词:钛酸锶钡薄膜介电性能
PVP添加剂改善溶胶-凝胶法制备BST薄膜表面结构及介电性能被引量:3
2009年
以聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone,PVP)为添加剂采用改善的溶胶凝胶法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,并采用扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的表面结构与介电性能。结果表明:PVP显著改善了BST薄膜的表面形貌,当PVP:Ti的物质的量比为0.7%时,BST薄膜表面形貌最佳,光滑致密无裂纹无缩孔。X射线光电子能谱(XPS)表明,PVP有助于减少BST薄膜表面非钙钛矿结构。介电性能测试表明,在40V外加电压下BST薄膜的介电调谐率达45%,零偏压下的介电损耗低于0.02。另外,对PVP的作用机理进行了讨论。
张佳廖家轩潘笑风王洪全傅向军魏雄邦
关键词:钛酸锶钡薄膜介电性能
改进Sol-Gel法制备Y掺杂BST薄膜表面结构及介电性能研究被引量:10
2009年
通过在溶胶前驱液中添加聚乙烯吡咯烷酮和在底电极Pt上形成界面仔晶层,对溶胶-凝胶(Sol-Gel)法进行了改进,并以此在Pt/Ti/SiO2/Si上制备了钇(Y)掺杂和非掺杂的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了薄膜的表面结构和介电调谐性能.X射线光电子能谱表明,BST薄膜表面元素都以两种或三种化学态出现,一种对应钙钛矿结构,其余的对应非钙钛矿结构.和非掺杂相比,除了Ti2p外,Y掺杂对Ba3d、Sr3d和O1s具有明显的影响,Ba、Sr和O原子在非钙钛矿结构中的含量分别由41%、33%和51%减少到26%、29%和40%.扫描电镜和原子力显微镜表明,Y掺杂BST薄膜光滑致密、无裂纹和无缩孔.40V偏压和100kHz频率下的电压-电容曲线表明,Y掺杂提高了薄膜的介电调谐性能,调谐率大于43%、损耗0.0216及优化因子20.对Y掺杂改性机理也进行了讨论.
廖家轩王洪全潘笑风傅向军张佳田忠
关键词:钛酸锶钡薄膜
BaFe_(12)O_(19)/BaTiO_3复合材料的制备及微波性能被引量:6
2009年
采用溶胶凝胶法制备了钛酸钡(BaTiO3,BTO)和钡铁氧体(BaFe12O19,BFO)复合粉体。研究了该粉体的结晶情况、相结构、形貌及吸波性能。XRD结果表明,复合粉体的相结构与BFO粉体的相结构接近,但与BTO含量和烧结温度密切相关。SEM结果表明,复合粉体由微米晶粒和纳米晶粒组成,随着烧结温度的升高颗粒尺寸增大。吸波性能测试表明,粉体在500MHz~18GHz频率范围有多个吸收峰,BTO的加入明显改善了材料的吸波性能。
王洪全廖家轩潘笑风傅向军张佳魏雄邦
关键词:溶胶-凝胶钡铁氧体钛酸钡吸波性能
Ce掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜表面结构XPS研究被引量:2
2009年
用改进的溶胶-凝胶法制备铈(Ce)掺杂和非掺杂2种钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)研究薄膜的表面结构。XPS结果表明,BST薄膜的表面结构由钙钛矿结构和非钙钛矿结构组成,铈掺杂显著地减少了非钙钛矿结构。扫描电镜及原子力显微镜观察表明,掺杂BST薄膜光滑致密无裂纹。电压-电容曲线表明,掺杂BST薄膜的介电性能大幅度提高,在40V外加电压下介电调谐率达60.8%,零偏压下的介电损耗为0.0265。同时,就非钙钛矿结构的成因及Ce掺杂BST薄膜的有关改善机制进行了讨论。
廖家轩潘笑风王洪全张佳傅向军田忠
关键词:铈掺杂钛酸锶钡薄膜钙钛矿结构
Y掺杂BST薄膜介电性能研究被引量:2
2009年
用改进溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si上制备了钇(Y)掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了Y掺杂对BST薄膜表面结构和介电性能的影响。XPS结果表明,Y掺杂有利于薄膜钙钛矿结构的形成,但对氧空位没有明显的抑制作用。SEM和AFM结果表明,Y掺杂能缓解薄膜应力、减少薄膜裂纹、细化晶粒,进而改善薄膜的表面结构。在进行Y掺杂后,薄膜的介电性能得到明显提高,40V外加电压下的介电调谐率大于40%及零偏压下介电损耗为0.0210,优化因子大于20。
潘笑风廖家轩王洪全张佳傅向军魏雄邦
关键词:钛酸锶钡薄膜溶胶-凝胶法介电性能
铈掺杂钛酸锶钡薄膜的结构及介电性能
2009年
用改善的溶胶凝胶法制备铈掺杂钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)薄膜,研究其结构与介电性能。X射线光电子能谱表明,铈掺杂显著地减少了薄膜表面非钙钛矿结构。但是,由于掺杂薄膜较薄且掺杂量小,X射线衍射结果未见明显变化。原子力显微镜结果表明,掺杂BST薄膜表面光滑致密。掺杂BST薄膜的介电性能大幅度提高,在40V外加电压下介电调谐率达60.8%,零偏压下的介电损耗为0.0265。同时,就有关结构及介电性能改善的机制进行了讨论。
傅向军廖家轩张佳潘笑风王洪全魏雄邦
关键词:铈掺杂钛酸锶钡薄膜钙钛矿结构介电性能
退火温度对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜晶化及介电性能的影响被引量:2
2009年
用改善的溶胶凝胶(Sol-Gel)法制备了钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BST)薄膜,研究了退火温度对薄膜晶化及介电性能的影响。X射线衍射表明,由于薄膜较薄,各温度下衍射峰强度均微弱,但呈(110)择优取向,随温度的升高峰强度逐渐增加,也出现其他晶向的衍射峰。扫描电镜和原子力显微镜表明,改善的BST薄膜表面形貌光滑致密、无裂纹、无缩孔,随温度的升高薄膜晶化增强、晶粒逐渐长大、粗糙度增加。40V外加电压下的介电性能大幅度提高,介电调谐率大于30%,介电损耗约0.02,其中,650℃对应介电调谐率45.1%和介电损耗0.0187。同时,就有关结构、介电性能及退火温度的关系进行了讨论。
廖家轩潘笑风王洪全张佳傅向军田忠
关键词:钛酸锶钡薄膜晶化介电性能
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