国家自然科学基金(60176002)
- 作品数：10 被引量：61H指数：6
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- 稀土(Tb,Gd)掺杂多孔硅的光致发光性能研究被引量：11
- 2003年
- 用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土 (Tb ,Gd)离子的化学掺杂 .利用荧光分光光度计测试了样品的光致发光特性 .用扫描电子显微镜研究了薄膜的表面形貌 .用卢瑟福背散射谱分析了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况 .结果表明 ,Tb的掺入显著增强了多孔硅的发光强度 ,并且发光峰位出现蓝移 .这是由于Tb3+ 的 4f能级5D4 —7F3,5D4 —7F2 和5D4 —7F0 的跃迁发光引起的 .而在掺入Gd情况下 ,则观察到蓝光发射 .初步分析了稀土掺杂多孔硅的发光机理 .
- 彭爱华谢二庆姜宁张志敏李鹏贺德衍
- 关键词：稀土掺杂多孔硅光致发光发光机理
- SiCN薄膜的制备及其性能研究被引量：9
- 2002年
- 利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiCN薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、红外吸收谱(FTIR)和X射线光电子谱(XPS)对薄膜的结构、成份及化学键合状态进行了分析。结果表明,室温制备的SiCN薄膜为非晶状态,并形成了Si-C、Si-N和C-N键;而在高温下(衬底温度为800oC),薄膜中含有SiCN的晶体成分。此外,还利用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行了研究,并进一步研究了样品的场发射性能。在场强为24V/μm时,最大发射电流可达3.3mA/cm2。
- 马紫微谢二庆林洪峰宁长春刘肃贺德衍
- 关键词：XRDIRXPSAFM场发射
- 火焰喷雾法合成ZnO和Mg_xZn_(1-x)O纳米颗粒的光学性能研究被引量：8
- 2007年
- 利用火焰喷雾法成功制备了纳米级的ZnO和MgxZn1-xO颗粒.通过对样品的X射线衍射谱和场发射扫描电子显微镜照片分析,发现制备的颗粒大小较为均匀,直径在20nm左右;镁元素的掺入引起晶格常数变小.通过透射光谱和光致发光谱的测量,发现MgxZn1-xO颗粒的禁带宽度远大于ZnO颗粒的禁带宽度,同时对两组样品的紫外发光和可见发光的强度变化和发光机理进行了探讨.
- 李晖谢二庆张洪亮潘孝军张永哲
- 关键词：ZNO禁带宽度
- 多孔β-SiC薄膜的蓝光发射被引量：7
- 2003年
- 通过射频溅射的方法在单晶硅衬底上沉积了 β SiC薄膜 ,用HF酸 (40 % )和C2 H5OH(99% )的混合溶液对 β SiC薄膜进行了电化学腐蚀处理 ,形成了多孔 β SiC(PSC)薄膜 .利用荧光分光光度计研究了样品的光致发光 (PL)特性 ,用原子力显微镜 (AFM)和扫描电子显微镜 (SEM )观察了样品腐蚀前后的表面形貌 .结果表明 :多孔 β SiC薄膜具有较强的蓝光发射特性 ;通过改变腐蚀时间 ,可以改变蓝光发射的强度 ,也可以观察到蓝光 红光同时发射的现象 ;降低HF酸的浓度 ,蓝光发射峰明显变弱 ,并对多孔 β SiC薄膜的发光机理及其微观结构进行了讨论 .
- 张志敏谢二庆林洪峰马紫微叶凡贺德衍
- 关键词：电化学腐蚀蓝光发射PLSEM
- InN纳米线的低压化学气相沉积及其场发射特性研究被引量：2
- 2007年
- 利用低压化学气相沉积方法在以Au作催化剂的Si衬底上生长了InN纳米线.扫描电子显微镜分析表明,这些纳米线的直径在60—100nm的范围内,而其长度大于1μm.高分辨透射电子显微镜图像表明,合成的纳米线中含有六方相和立方相的InN晶体.这些InN纳米线具有良好的场发射特性和稳定的场发射电流,其开启场为10.02V/μm(电流密度为10μA/cm2),在24V/μm的电场下,其电流密度达到5.5mA/cm2.此外,对InN纳米线的场发射机理也进行了讨论.
- 叶凡蔡兴民王晓明赵建果谢二庆
- 关键词：场电子发射
- 稀土掺杂多孔硅的蓝光发射被引量：11
- 2004年
- 用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土 (Pr,Dy ,Sc)离子的化学掺杂 .用扫描电镜研究了多孔硅薄膜的表面形貌 ,用卢瑟福背散射谱研究了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况 .利用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性 ,发现稀土掺杂增强了多孔硅的蓝光发射 ,尤其是Dy的掺杂可产生较强的蓝光发射 ,其强度可与多孔硅的红光强度相比较 ,适当的Pr和Sc的掺杂也可一定程度地增强多孔硅的蓝光发射 .稀土掺杂多孔硅后产生蓝光发射的可能机理为 :稀土掺杂引入新的表面态 ,形成硅、氧、稀土间新的键合方式O—Si—O—Re—O ,从而在多孔硅表面形成新的发光中心 ;稀土离子丰富的能态在多孔硅发光过程中起到了能量传递作用 ,从而增强了多孔硅的蓝光发射 .
- 彭爱华谢二庆贾昌文蒋然林洪峰贺德衍
- 关键词：稀土掺杂光致发光电化学蓝光发射
- 射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜被引量：15
- 2004年
- 利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiC薄膜 ,并利用x射线衍射 (XRD)和红外 (IR)吸收谱对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析 .XRD结果表明 ,低温制备的SiC薄膜为非晶相 ,而在高温下 (>80 0℃ ) ,薄膜呈现 4H SiC和 3C SiC结晶相 .IR谱显示 ,溅射制备薄膜的吸收特性主要为Si—C键的吸收 .此外 ,还利用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了研究 。
- 林洪峰谢二庆马紫微张军彭爱华贺德衍
- 关键词：射频溅射法X射线衍射分析
- 石英衬底上溅射制备纳米SiCN薄膜
- 2006年
- 利用射频溅射方法在石英玻璃上沉积了纳米结构硅碳氮(SiCN)薄膜.SiCN薄膜表面由平均直径约50nm的SiCN纳米颗粒组成,这些纳米颗粒的紧密分布构造了薄膜的致密表面.纳米SiCN薄膜呈现出典型的半导体导电特征.通过调整N2流量参数可以获得不同带隙的SiCN薄膜材料,这种带隙可调的纳米结构SiCN薄膜在未来的半导体光电器件应用领域会有广阔的应用前景.
- 林洪峰谢二庆张军颜小琴陈支勇
- 关键词：溅射
- 反应溅射CN薄膜的场发射特性
- 2006年
- 利用反应射频溅射方法在硅单晶衬底上沉积碳氮(CN)薄膜.原子力显微镜(AFM)研究结果表明,CN薄膜表面覆盖有纳米CN锥状物,所制备的CN薄膜具有良好的场发射特性,最大发射电流密度达到～10mA/cm2,并且未出现电流饱和现象.薄膜表面的CN纳米锥有利于薄膜的场发射,重复测量结果表明,CN薄膜的发射特性得到改善和提高.
- 林洪峰谢二庆张军颜小琴陈支勇
- 关键词：反应溅射场发射
- 溅射制备非晶氮化镓薄膜的光学性能被引量：3
- 2007年
- 利用直流磁控溅射方法制备了GaN薄膜.X射线衍射及Raman光谱结果表明薄膜样品为非晶结构;傅立叶红外光谱表明薄膜样品的主要吸收峰为Ga-N键的伸缩振动;光致发光测试得到了360nm处的紫外发光谱;测量薄膜样品的紫外-可见谱,并利用Tauc公式计算得到样品的光学带隙为3.74eV,这与光致发光谱得到的结果是一致的.
- 潘孝军张振兴贾璐李晖谢二庆
- 关键词：溅射制备光学性能
