中央高校基本科研业务费专项资金(1112021001)
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
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- 非晶Ge纳米薄膜的光电性质研究
- Ⅳ族半导体硅(Si)和锗(Ge)是当今微电子研究领域的主干材料,近几年来,为了实现硅基光电集成,人们又对Si和Ge纳米结构材料,特别是Si和Ge量子点的制备和发光性质进行了大量的研究。在制备量子点材料时,一种有效的制备途...
- 李悰林涛李伟徐骏陈坤基
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- 脉冲电位法制备SnSx薄膜及其光电性质研究
- 半导体硫化锡(SnS)薄膜的带隙可以在一个较为宽广的范围(1～2eV)内变化,在可见光范围内具有很高的吸收系数(>10cm),理论上,由其构成的薄膜太阳能电池的转换效率可达到25%。同时,相对于CuInGaSe薄膜,Sn...
- 喀哈尔·玉苏普林涛耿雷徐岭徐骏
- 文献传递
- 镶嵌在SiC中纳米硅薄膜的电致发光行为
- 近年来,镶嵌在碳化硅(SiC)中的纳米硅薄膜越来越受到研究者的关注,因为其在硅基光电器件,特别是硅基发光器件和太阳能电池等方面有很大的应用前景。SiC与二氧化硅相比较具有较低的光学带隙,且带隙随着Si、C组分的不同而变化...
- 芮云军李淑鑫徐骏曹蕴清李伟陈坤基
- 文献传递
- 氧化锡纳米颗粒和稀土铕共掺二氧化硅薄膜的制备与发光增强
- 稀土离子掺杂二氧化硅薄膜由于其独特的光学性质,在硅基光源、太阳能电池等方面展示出巨大的应用前景。然而,稀土离子在SiO基质中的光学吸收截面很小(约为10-21cm2),导致较低的光发射效率。一种新的思路是,在硅基薄膜材料...
- 张晓伟林涛徐骏徐岭
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- 超薄氢化非晶锗膜的结构与光电性质被引量：3
- 2011年
- 通过PECVD制备出了不同厚度的a-Ge∶H膜,采用Raman光谱对样品进行了结构表征,由椭圆偏振光谱仪得到样品的厚度和光学常数,并计算了样品的光学带隙。由变温电导率分析了薄膜的电学输运性质,结果表明,载流子的传输机制为扩展态电导。进而利用变温PL谱研究了薄膜的发光性能,发现其发光峰在1.63μm处;随着膜厚的减小,峰位和峰形都有改变,且强度明显提高。进一步分析发现,随着膜厚的减小非辐射复合跃迁的激活能增大,从而导致辐射复合过程增强。
- 李悰徐骏林涛李伟李淑鑫陈坤基
- 关键词：光学带隙光致发光
