国家科技重大专项(2009ZX02039-005)
- 作品数：4 被引量：8H指数：1
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- 相关机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 非晶La_2O_3薄膜的阻变存储性能研究
- 2012年
- 采用脉冲激光技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积了非晶La2O3薄膜,制作并分析了Pt/La2O3/Pt堆栈层的直流电压与脉冲电压诱导的电阻转变特性。Pt/La2O3/Pt器件单元表现出了稳定的双极性电阻转变,其高低阻态比大于两个数量级。经过大于1.8×106s的读电压,高低阻态的电阻值没有明显的变化,表现出了良好的数据保持能力。通过研究高低阻态的电流电压关系、电阻值与器件面积的关系,揭示了导电细丝的形成和破灭机制是导致Pt/La2O3/Pt器件发生电阻转变现象的主要原因。
- 赵鸿滨屠海令杜军张心强
- 关键词：氧化镧非易失性脉冲激光沉积
- Gd_2O_3-HfO_2栅介质薄膜的外延制备及Ge-MOS电学特性分析
- 2012年
- 以Gd2O3-HfO2(GDH)固溶氧化物作为靶材,采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Ge(100)衬底上制备了GDH高k栅介质外延薄膜,其外延生长方式为"cube-on-cube",GDH薄膜与Ge(100)衬底的取向关系为(100)GDH∥(100)Ge和[110]GDH∥[110]Ge。通过反射式高能电子衍射(RHEED)技术研究了激光烧蚀能量和薄膜沉积温度对薄膜晶体结构的影响,分析了二者与薄膜的取向关系,激光烧蚀能量对薄膜取向影响更为显著。得到较优的GDH外延薄膜沉积工艺为:激光烧蚀能量为3 J·cm-2、薄膜的沉积温度为600℃。用磁控溅射制备了Au/Ti顶电极和Al背电极,其中圆形的Au/Ti电极通过掩膜方法获得,直径为50μm。采用Keithley 4200半导体测试仪对所制备Au/Ti/GDH/Ge/Al堆栈结构的Ge-MOS原型电容器进行电学特性分析,测试条件为:I-E测试的电场强度0～6 MV·cm-1,C-V测试的频率300 kHz～1 MHz,结果表明,厚度为5 nm的GDH薄膜具备良好介电性能:k～28,EOT～0.49 nm,适于22 nm及以下技术节点集成电路的应用。
- 张心强屠海令杜军杨萌萌赵鸿滨杨志民
- 关键词：GD2O3HFO2
- 非易失性阻变存储器研究进展被引量：8
- 2012年
- 随着器件特征尺寸不断缩小,集成度不断提高,传统的基于电荷存储的非易失性FLASH存储器将面临物理与技术的极限。新型的阻变存储器具有高速读写、存储密度高、能耗低等优点引起了微电子产业界广泛关注。介绍了阻变存储器的阻变行为,综述了目前研究的存储机制、性能及其改善方法、材料体系、器件结构,并展望了阻变存储器的应用前景。
- 赵鸿滨屠海令杜军
- 关键词：非易失性存储器
- Al_2O_3界面钝化与热处理对Gd_2O_3-HfO_2高k薄膜电性能影响
- 2012年
- 采用磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上生长了Gd2O3掺杂HfO2(GDH)高k薄膜,制备了GDH/Si和GDH/Al2O3/Si两种堆栈层。结果表明Al2O3界面钝化使漏电流密度降低了两个数量级,并改善了回滞窗口和平带电压的偏移。高温N2退火对堆栈层电学性能影响明显:随着温度的增加,界面性能逐步改善,退火温度为900℃时,回滞窗口小于20 mV,积累区趋势平缓并且单位面积电容值增大,薄膜介电常数为20。
- 郭亿文张心强熊玉华杜军杨萌萌赵鸿滨
- 关键词：AL2O3快速退火
