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河北省科学技术研究与发展计划项目(06213544)
作品数:
3
被引量:6
H指数:1
相关作者:
刘新福
贾科进
闫德立
田建来
谢辉
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相关机构:
河北工业大学
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发文基金:
河北省科学技术研究与发展计划项目
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相关领域:
电子电信
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半导体
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EIT
机构
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河北工业大学
作者
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刘新福
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谢辉
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张润利
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赵丽敏
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田建来
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闫德立
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柳春茹
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苏双臣
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贾科进
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黄宇辉
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任献普
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年份
1篇
2009
2篇
2007
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基于EIT技术的微区薄层电阻测试系统研究
被引量:1
2009年
分析了各种半导体材料电阻率测量方法的优缺点及适用性,利用电阻抗成像技术(EIT),探究了一种用来检测Si片内微区薄层电阻率均匀性的无接触测试技术。实现这种测试技术的硬件电路系统主要由激励模块恒流源、驱动模块多路模拟开关、信号处理模块前置放大电路、A/D转换器件和DSP(数字信号处理器)芯片、计算机等构成。分别介绍了各模块的构成与功能,并略述了用一种图像重建算法等位线反投影法进行阻抗分布图像的重建。
任献普
刘新福
黄宇辉
柳春茹
赵晓然
赵丽敏
关键词:
半导体测试
数字信号处理器
薄层电阻
四探针和EIT测试微区薄层电阻的研究与进展
被引量:6
2007年
论述了一种测试大型硅片电阻率均匀性的新方法———电阻抗成像技术(EIT)。给出了四探针的基本原理,指出EIT的基本思想来源于四探针技术。对EIT的基本原理和重建算法在理论上进行了描述,提出可将其应用于微区薄层电阻测试,并对EIT在大型硅片微区薄层电阻率均匀性测试技术上的系统应用做了进一步探索。
谢辉
刘新福
贾科进
闫德立
田建来
关键词:
电阻抗成像
微区薄层电阻
探针游移对方形四探针测试仪测量硅片薄层电阻的影响分析
被引量:1
2007年
分析方形四探针探针游移对其测量微区薄层电阻的影响,完成了测试薄层电阻的公式的推导,对游移后产生的误差影响进行了统计数据分析,得出了测试结果满足测试误差要求的结论。
苏双臣
刘新福
张润利
刘金河
关键词:
硅片
薄层电阻
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