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国防科技技术预先研究基金(311060403)
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
相关作者:
何宝平
姚志斌
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相关机构:
西北核技术研究所
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何宝平
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互补金属氧化物半导体器件空间低剂量率辐射效应预估模型研究
被引量:3
2010年
给出了一种新的预估互补金属氧化物半导体器件(CMOS器件)空间低剂量率辐射效应模型,相对线性响应预估模型,该模型在预估CMOS器件低剂量率辐射效应方面更接近实际试验结果,且不同剂量率辐射试验结果证实了所建模型的正确性.最后利用新建模型对处于空间低剂量率环境下CMOS器件的敏感参数进行了预估.
何宝平
姚志斌
关键词:
电离辐射
总剂量
低剂量率
预估方法
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