您的位置: 专家智库 > >

湖南省自然科学基金(07JJ3010)

作品数:5 被引量:8H指数:1
相关作者:杨兵初曾礼丽陈海平夏学文张丽更多>>
相关机构:中南大学更多>>
发文基金:湖南省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 3篇电子电信

主题

  • 5篇溅射
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇染料敏化
  • 3篇敏化
  • 2篇电性质
  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射
  • 2篇金刚石薄膜
  • 2篇类金刚石
  • 2篇类金刚石薄膜
  • 2篇光电
  • 2篇光电性质
  • 2篇TIO2薄膜
  • 1篇带隙
  • 1篇电极
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇氧流量
  • 1篇直流反应磁控...

机构

  • 5篇中南大学

作者

  • 5篇杨兵初
  • 3篇曾礼丽
  • 2篇陈海平
  • 2篇夏学文
  • 1篇左舜贵
  • 1篇赵峥
  • 1篇熊健
  • 1篇颜建堂
  • 1篇马学龙
  • 1篇周聪华
  • 1篇伍益
  • 1篇文武
  • 1篇张丽

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 1篇功能材料
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
掺W对染料敏化TiO_2电极光电性质的研究被引量:1
2010年
用双靶直流磁控共溅射方法在FTO透明导电玻璃上沉积掺W的TiO2薄膜。采用原子力显微镜、喇曼光谱仪和透射光谱仪对其表面形貌、晶体结构及光学性能进行了分析。研究发现适量的掺W有利于改善TiO2薄膜的表面结构,并有利于提高染料敏化电池的短路电流;但过量的掺W减弱了锐钛矿相,TiO2薄膜转变为金红石相结构;适量W掺杂TiO2薄膜经敏化组装的太阳能电池,有利于提高其短路电流及光电能量转换效率,不利于提高其开路电压。
杨兵初伍益周聪华熊健左舜贵
关键词:直流磁控溅射透明电极
溅射功率对染料敏化TiO_2电极光电性质的影响
2009年
用直流磁控溅射法在不同溅射功率下沉积了TiO2薄膜,并制备了染料敏化太阳能电池。I-V曲线的结果表明,150~200W,随着溅射功率的升高,电池的短路光电流和光电转换效率增大,200W时制备的TiO2电极的光电转换效率较175W时的提高了75%,225W时短路光电流和转换效率均有所下降;从喇曼光谱、透射光谱等的表征可知,200W时沉积的TiO2薄膜开始形成锐钛矿结构,并且其厚度比225W时沉积的薄膜更大。
杨兵初曾礼丽陈海平夏学文
关键词:光电流溅射功率
氧流量对TiO_2薄膜光电性质的影响
2010年
采用直流反应磁控溅射法在FTO基底上制备了TiO2薄膜,研究了在不同氧流量条件下TiO2薄膜的拉曼光谱、表面形貌和透射光谱,并将TiO2薄膜用N719染料进行敏化,制备了染料敏化太阳电池,测试了电池的I-V特性曲线。实验结果表明:随着氧流量的增加,电池的短路电流和光电转换效率先增加而后降低,在15cm3时达到最大;薄膜为锐钛矿和金红石的混合晶体结构;氧流量对薄膜的表面形貌影响不大,薄膜都表现出疏松多孔的表面结构。
杨兵初夏学文曾礼丽文武
关键词:氧流量TIO2薄膜直流反应磁控溅射染料敏化
掺硅类金刚石薄膜的制备及其光学性质研究被引量:6
2008年
利用直流磁控溅射技术在单晶硅和光学玻璃表面制备了掺硅类金刚石薄膜,采用紫外-可见光光谱仪、原子力显微镜、X射线光电子能谱(XPS),荧光光谱仪考察了不同硅含量对类金刚石薄膜的光学透过、表面形貌、电子结构和光学带隙的影响。结果表明,掺硅后的类金刚石薄膜的表面粗糙度先变大后变小,光学带隙变宽,但当掺硅达到一定量时,光学带隙有所降低。随着硅掺入量的增加,薄膜的红外透过率显著提高;光的发射中心"蓝移"并且强度增加。XPS的结果表明薄膜的sp3/sp2的比率随着硅含量的增加而变大。
杨兵初颜建堂张丽马学龙
关键词:类金刚石薄膜磁控溅射X射线光电子能谱光学带隙
掺N类金刚石薄膜的制备及微观结构分析被引量:1
2009年
采用直流磁控溅射法,在光学玻璃衬底上沉积类金刚石(DLC)和掺N类金刚石薄膜(DLC:N)。用喇曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶红外光谱(FTIR)等研究分析了所制备薄膜的微观结构。喇曼光谱的结果表明,掺N类金刚石膜仍具有典型的类金刚石膜结构,在类金刚石薄膜中掺N不仅有助于提高膜中sp3/sp2的比例,而且还能阻止sp2键向石墨相的转化,稳定并优化薄膜的类金刚石属性。FTIR表明,薄膜中N与C原子形成了C—N、CN及C≡N等键合方式。XPS谱表明,掺N类金刚石膜中除了C和N元素外,还出现了少量的O元素,而C1s和N1s的解谱显示,掺N后的类金刚石膜中的C、N结合能发生了明显的移动,由计算得出薄膜中N的含量为13.5%。薄膜的表面形貌图(AFM)表明,在类金刚石薄膜中掺N能够改善其表面形貌。
杨兵初陈海平曾礼丽赵峥
关键词:直流磁控溅射类金刚石薄膜微观结构结合能
共1页<1>
聚类工具0