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国家重点基础研究发展计划(2003314703)

作品数:3 被引量:10H指数:3
相关作者:姜文龙刘式墉王静汪津丁桂英更多>>
相关机构:吉林大学吉林师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划吉林省科技发展计划基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇发光
  • 2篇OLED
  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇氧化铟
  • 1篇氧化铟锡
  • 1篇有机白光器件
  • 1篇有机电致发光
  • 1篇有机电致发光...
  • 1篇空穴
  • 1篇空穴传输
  • 1篇空穴传输层
  • 1篇蓝光
  • 1篇厚度
  • 1篇发光器件
  • 1篇发光特性
  • 1篇白光
  • 1篇白光器件
  • 1篇DPVBI
  • 1篇ITO

机构

  • 3篇吉林师范大学
  • 3篇吉林大学

作者

  • 3篇刘式墉
  • 3篇姜文龙
  • 2篇丁桂英
  • 2篇汪津
  • 2篇王静
  • 1篇王立忠
  • 1篇段羽
  • 1篇马晓敏
  • 1篇韩强

传媒

  • 2篇光电子.激光
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
无氧溅射方法制备OLED的ITO透明电极被引量:4
2007年
采用氧化铟锡(ITO)合金材料作为靶材,通过射频磁控溅射制备ITO膜。将获得的ITO膜应用于结构为ITO/m-MTDATA(30nm)/NPB(20nm)/Alq3(50nm)LiF(0.8nm)/Al(100nm)的有机电致发光器件(OLED),得到了最大亮度为11560cd/m2(电压为25V)、最大效率为2.52cd/A(电压为14V)的结果。为了获得双面发光,制作了结构为ITO/m-MTDATA(30nm)/NPB(20nm)/Alq3(50nm)LiF(0.8nm)/Al(20nm)/ITO(50nm)的器件,其阳极出光的最大亮度为14460cd/m2(电压为18V)、最大效率为2.16cd/A(电压为12V),阴极出光的最大亮度为1263cd/m2(电压为19V)、最大效率为0.26cd/A(电压为16V)。
姜文龙段羽刘式墉
利用DPVBi的空穴阻挡和发光特性而制作的白光器件被引量:3
2006年
介绍了结构为:ITO/m-MTDATA(40nm)/NPB(5nm)/DPVBi(10~12nm)/Rubrene(0.5nm)/DPVBi(20~18nm)/Alq(50nm)/LiF(0.5nm)/Al的白光器件。该器件采用了两个DPVBi层中间夹一个Rubrene的薄层,这种结构充分利用了DPVBi的空穴阻挡特性和发光特性,有力地平衡了来自于DPVBi的蓝光、Alq的绿光和Rubrene的黄光,从而使器件发射性能较好的白光。当第一层的DPVBi和第二层的DPVBi的厚度分别是11nm和19nm时,其他层的厚度保持不变,该器件在15V电压下,最大亮度为11290cd/m^2,对应的效率为1.71cd/A,色坐标为(0.25,0.27),属于白光发射;在6V时,其最大效率为3.18cd/A。
姜文龙丁桂英王静汪津王立忠韩强刘式墉
关键词:有机白光器件DPVBI
调整空穴传输层厚度改善蓝光有机器件的性能被引量:3
2006年
利用有机发光材料N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine(NPB)作为空穴传输层,4,4′-dis(2,2′diphenylvinyl)-1,1′-biphenyl(DPVBi)作为发光层,aluminium-tris-8-hydroxy-quinoline(Alq3)作为电子传输层,采用ITO/NPB/DPVBi/Alq3/LiF/Al基本结构,研究了NPB厚度对蓝光有机器件(OLED)的亮度和效率的影响。在DPVBi、Alq3、LiF和Al分别保持在20、30、0.5和100nm不变,而NPB在40、50…和150nm内进行变化,在NPB小于130nm而大于40nm内,亮度随厚度的增加而增加,最大亮度达到6891cd/m2,对应的效率是1.64cd/A,而色(CIE)坐标的变化范围较小,获得了性能较好的蓝光OLED。
姜文龙王静汪津丁桂英马晓敏刘式墉
关键词:空穴传输层
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