您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(50172061)

作品数:9 被引量:40H指数:3
相关作者:于振瑞张加友杜金会李正群王妍妍更多>>
相关机构:中国人民解放军军事交通学院南开大学河北工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇结构特性
  • 5篇光学
  • 3篇电沉积
  • 3篇电沉积法
  • 3篇光学特性
  • 2篇带隙
  • 2篇电沉积法制备
  • 2篇光学带隙
  • 2篇LAYER
  • 2篇LBL
  • 1篇电池
  • 1篇性能研究
  • 1篇运动学
  • 1篇运动学仿真
  • 1篇正交晶系
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶法
  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇射线衍射
  • 1篇太阳能

机构

  • 9篇中国人民解放...
  • 3篇南开大学
  • 1篇河北工业大学

作者

  • 9篇于振瑞
  • 8篇杜金会
  • 8篇张加友
  • 4篇李正群
  • 3篇王妍妍
  • 2篇李长安
  • 2篇王旭艳
  • 2篇郭淑华
  • 1篇杨嘉
  • 1篇刘洋
  • 1篇王如
  • 1篇曾锐利
  • 1篇崔加前
  • 1篇贾小东

传媒

  • 3篇光电子.激光
  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇Journa...
  • 1篇微计算机信息
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇光电子技术

年份

  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 2篇2002
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
无水化学沉积法制备Sb_2S_3薄膜被引量:3
2005年
采用无水化学沉积(NCBD)法在玻璃基片上制备了Sb2S3薄膜.先用无水乙醇将4.0 mL浓度为0.1 mol/L的SbCl3乙醇溶液稀释至39.6 mL,再加入0.4 mL浓度为0.5 mol/L的CH3CSNH2乙醇溶液,搅拌均匀后垂直放入玻璃基片,在15~18 ℃温度下沉积72 h后,进行退火处理.利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜在退火前后的结构特性进行了研究,利用光学测试计算了薄膜的光学带隙.结果表明,高温退火使薄膜由退火前的非晶态转变为多晶的Sb2S3结构(正交晶系),薄膜的直接光学带隙从1.86 eV降低为1.75 eV.
杜金会于振瑞李正群张加友王妍妍
关键词:化学沉积法光学带隙搅拌均匀结构特性正交晶系高温退火
基于FPGA和模糊控制的模型车运动学仿真被引量:6
2006年
模型车运动学仿真系统是集硬件、软件于一身的完整且复杂的系统,它在汽车驾驶模拟训练领域的市场前景非常广阔。但是,采用传统的数学建模方法,很难得到精确而又简单的数学模型。该文介绍了一种基于C8051F020和FPGA的模糊控制模型车运动学仿真系统,简洁高效地实现了对真车精确的运动学仿真,并详细地阐述了该系统的设计思想及工作流程。
刘洋李长安于振瑞曾锐利崔加前
关键词:运动学仿真模糊控制FPGAC8051F020
Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应
2003年
利用 Al/ SRO/ Si MOS,对富硅二氧化硅 (SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究 .用L PCVD法在 n型 Si衬底上沉积 SRO材料 ,通过 C- V测量研究其电荷俘获性质 .发现对于 n型 Si衬底 ,在横向电压作用下 ,SRO层能够俘获正电荷 ,电荷俘获效应与 SRO层的性质有关 .基于电位在器件内部的分布及诱导 pn结的形成 。
于振瑞杜金会张加友李长安Aceves M
关键词:富硅氧化硅C-V测试
CoSnS_2薄膜的制备及性能研究被引量:2
2003年
采用两种方法制备了CoSnS2薄膜。在两步电沉积法中,先沉积SnS薄膜,再在其上制备CoS沉积薄膜,最后进行退火处理形成厚度约为1250nm的CoSnS2薄膜。在三元共沉积法中,加入EDTA(乙二胺四乙酸二钠)配合剂来调整Sn、Co、S的沉积电势以实现这三种元素的共沉积,从而一步形成厚约620nm的CoSnS2薄膜。探讨了薄膜的制备机理和制备条件对薄膜结构特性和光学特性的影响。得到的薄膜为多晶γ-Co6S5(立方晶系)和SnS(斜方晶系)结构,其直接光学带隙和间接光学带隙分别在1.05~1.25eV和0.11~0.71eV之间可调。
杜金会于振瑞王如张加友王旭艳李正群
关键词:结构特性光学特性
电沉积法制备CoS薄膜被引量:9
2002年
采用电沉积法在 Sn O2 透明导电玻璃上制备 Co S薄膜 ,电沉积液为 Co Cl2 、Na2 S2 O3和 EDTA的混合溶液。探讨了利用电化学法实现 Co S阴极式共沉积的机理 ,并研究了制备条件对薄膜结构特性和光学特性的影响。制备的薄膜为多晶的γ- Co6 S5结构 ,属于立方晶系 ,直接光学带隙在 1.0 9~ 1.49e
杜金会于振瑞王旭艳张加友贾小东郭淑华
关键词:电沉积法X-射线衍射XRD扫描电子显微镜SEM
LBL法制备Cu_3SbS_4薄膜
2005年
针对水溶液化学沉积法沉积过程复杂且难于控制的缺点,利用LBL(layer-by-layer)法,在玻璃基片上制备出了Cu3SbS4薄膜。即首先在玻璃基片上沉积Sb2S3薄膜,然后再在其上制备CuS薄膜,最后进行退火处理。探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构特性和光学特性。制备的薄膜为多晶Cu3SbS4(四方晶系)结构,厚度为344nm,直接光学带隙约为0.47eV。
杜金会于振瑞张加友
关键词:复合材料结构特性光学特性
电沉积法制备SnS薄膜被引量:16
2002年
采用了电沉积法在 Sn O2 透明导电玻璃上制备了硫化锡 (Sn S)薄膜 ,并对用电化学法实现 Sn和 S共沉积的条件参数进行了理论探讨。实验中 ,利用 Sn Cl2 和 Na2 S2 O3的混合水溶液作为电沉积液制备了均匀的 Sn S薄膜 ,对实验参数进行了优化。对薄膜进行了 X-射线衍射 (XRD)、扫描电子显微 (SEM)测量及光学测试。实验发现 ,制备的薄膜为多晶的斜方晶系结构 ,晶粒大小约为 15 0 nm,直接光学带隙在 1.36~ 1.73e
杜金会于振瑞张加友杨嘉郭淑华
关键词:太阳能电池电沉积法光学带隙
Cu_2SnS_3薄膜的制备及性能研究被引量:2
2004年
采用 LBL(layer- by- layer)法制备了 Cu2 Sn S3 薄膜。即首先采用电化学方法在 Sn O2 衬底上制备 Sn S薄膜 ,然后又在其上用化学沉积法制备 Cu S薄膜 ,最后进行退火处理得到厚度约为960 nm的 Cu2 Sn S3 薄膜。探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构和光学特性。制备的薄膜为多晶(Cu2 Sn S3 ) 72 z(三斜或假单斜晶系 )结构 ,其直接光学带隙约为 1 .0 5 e V。
杜金会于振瑞张加友王妍妍李正群
关键词:结构特性光学特性
SiO_2:nm-Ag的制备及其结构特性被引量:3
2005年
采用溶胶–凝胶法制备了掺纳米银的二氧化硅(SiO2:nm-Ag)微粉,并探讨其形成机理。用TG-DTA、XRD和TEM研究了微粉的结构特性及其影响因素。结果表明,通过控制制备条件和退火温度可以得到不同结构的SiO2:nm-Ag微粉。干凝胶研磨后在500℃退火,得到的微粉中SiO2主要以非晶硅藻土形式出现,银簇细小而均匀;在900℃退火时得到的微粉中,SiO2主要以低温方石英形式出现,银簇较大且分散。
杜金会于振瑞张加友李正群王妍妍
关键词:SIO2纳米簇溶胶-凝胶法
共1页<1>
聚类工具0