内蒙古自治区高等学校科学研究项目(NJZZ130099)
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
- 相关作者：侯清玉马文赵春旺董红英更多>>
- 相关机构：内蒙古工业大学更多>>
- 发文基金：教育部“春晖计划”内蒙古自治区自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Ga高掺杂对ZnO的最小光学带隙和吸收带边影响的第一性原理研究被引量：3
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了纯的和四种不同Ga掺杂量的ZnO超胞模型,分别对模型进行了几何结构优化、能带结构分布、态密度分布和吸收光谱的计算.结果表明,在本文限定的Ga掺杂量2.08 at%—6.25 at%的范围内,随着Ga掺杂量的增加,掺杂后的ZnO体系体积变化不是很大,但是,掺杂体系ZnO的能量增加,掺杂体系变得越来越不稳定,同时,掺杂体系ZnO的Burstein-Moss效应越显著,最小光学带隙变得越宽,吸收带边越向高能方向移动.计算结果和实验结果相一致.
- 侯清玉董红英马文赵春旺
- 关键词：吸收光谱第一性原理
