内蒙古自治区自然科学基金(2010BS0102)
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
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- 外场下压力及屏蔽对无限深量子阱中施主结合能的影响
- 2012年
- 考虑外加磁场、压力及屏蔽效应,利用变分方法数值计算GaN/AlxGa1-xN无限深量子阱系统中的杂质态结合能。给出结合能随磁场和阱宽的变化关系,同时讨论了有无屏蔽时的区别。结果表明:在磁场和压力作用下,结合能随阱宽的增大而减小;阱宽和压力一定时,结合能随磁场的增大而增大。屏蔽效应使得有效库仑吸引作用减弱而导致杂质态结合能显著下降。屏蔽效应对结合能的影响随压力增大而增强,随磁场强度增大而减弱。
- 刘贺温淑敏赵春旺哈斯花
- 关键词：外磁场屏蔽结合能
- 压力及屏蔽对无限深量子阱中施主结合能的影响
- 2012年
- 对GaAs/AlxGa1-xAs和GaN/AlxGa1-xN无限深量子阱系统,考虑压力及屏蔽效应,利用变分方法数值计算这两种系统中的杂质态结合能。给出了结合能随阱宽和压力的变化关系,同时讨论了有无屏蔽时的区别。结果表明,结合能随压力增大而增大,随阱宽增大而减小;屏蔽效应随着压力的增加而增加,并且显著降低了杂质态的结合能。
- 刘贺温淑敏赵春旺哈斯花
- 关键词：屏蔽结合能
