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国家自然科学基金(11074247)

作品数:7 被引量:17H指数:3
相关作者:宁永强王立军秦莉刘云曾玉刚更多>>
相关机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院研究生院中国科学院大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 4篇腔面
  • 4篇面发射
  • 4篇面发射激光器
  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 4篇发射激光器
  • 4篇垂直腔
  • 4篇垂直腔面
  • 4篇垂直腔面发射
  • 4篇垂直腔面发射...
  • 2篇英文
  • 2篇在线监测
  • 2篇偏振
  • 2篇功率
  • 2篇ALGAAS
  • 2篇高功率
  • 1篇亚波长
  • 1篇在线监测技术
  • 1篇数值模拟
  • 1篇偏振控制

机构

  • 6篇中国科学院长...
  • 5篇中国科学院研...
  • 1篇吉林农业大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 6篇宁永强
  • 5篇王立军
  • 4篇秦莉
  • 3篇刘云
  • 3篇张金龙
  • 3篇曾玉刚
  • 2篇张星
  • 2篇张立森
  • 2篇张艳
  • 2篇张建伟
  • 2篇徐华伟
  • 1篇王贞福
  • 1篇曹军胜
  • 1篇刘迪
  • 1篇张金胜
  • 1篇梁雪梅
  • 1篇张建
  • 1篇王伟
  • 1篇张祥伟

传媒

  • 5篇发光学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇Chines...

年份

  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
The improved output performance of a broad-area vertical-cavity surface-emitting laser with an optimized electrode diameter
2013年
The output performance of a 980-nm broad-area vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL) is improved by optimizing the p-electrode diameter in this study.Based on a three-dimensional finite-element method,the current density distribution within the active region of the VCSEL is optimized through the appropriate adjustment of the p-electrode diameter,and uniform current-density distribution is achieved.Then,the effects of this optimization are studied experimentally.The L-I-V characteristics under different temperatures of the VCSELs with different p-electrode diameters are investigated,and better temperature stability is demonstrated in the VCSEL with an optimized p-electrode diameter.The far-field measurements show that with an injected current of 2 A,the far-field divergence angle of the VCSEL with an optimized p-electrode diameter is 9°,which is much lower than the far-field angle of the VCSEL without this optimization.Also the VCSEL with an optimized p-electrode diameter shows a better near-field distribution.
张星宁永强秦莉佟存柱刘云王立军
RAS在线监测AlGaAs的MOCVD生长(英文)被引量:1
2011年
通过瞬态反射各向异性谱和瞬态反射谱在线监测和研究了AlxGa1-xAs的生长过程,利用金属有机化合物汽相淀积技术在GaAs(001)衬底上生长了多层AlxGa1-xAs结构。选择最适合在线监测生长过程的探测光能量,在此探测光能量处所得到的反射各向异性谱和反射谱的信号在生长过程中有很明显的振荡行为产生。研究发现,通过瞬态反射各向异性谱可以很好地分辨出由表面引起的光学各向异性和由界面处引起的光学各向异性,能够得到界面处形成缺陷的信息,并且发现了反射各向异性谱和反射谱的信号随着铝组分的不同而发生有规律的变化。
徐华伟张金龙宁永强曾玉刚张星
利用亚波长矩形金属光栅稳定980nm高功率垂直腔面发射激光器偏振(英文)被引量:3
2013年
利用亚波长矩形金属光栅的偏振特性,在垂直腔面发射激光器的有源区引入各向异性增益从而达到控制其偏振的目的。光栅参数设计基于均匀介质理论和抗反射理论,光栅设计周期为186 nm,占空比为0.5,并且光栅制作于GaAs盖层来对TE偏振光提供额外的反射率。经过设计分析对p-DBRs的对数进行了缩减,并且将光栅条之间的盖层区域刻蚀掉,刻蚀深度为1μm左右。盖层刻蚀的结果使电流注入的方向严格沿着光栅条线性注入的有源区,从而增加了非均匀增益并提高了偏振比。通过多物理场有限元分析软件对器件进行了模拟分析,结果基本上符合设计要求。通过优化工艺步骤,最终得到了550μm孔径器件的输出功率为780 mW,并且偏振比达到4.8的结果。
张祥伟宁永强秦莉刘云王立军
关键词:垂直腔面发射激光器金属光栅偏振控制
808nm InGaAlAs垂直腔面发射激光器的结构设计被引量:9
2011年
为实现垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)在808 nm波长的激射,对VCSEL芯片的整体结构进行了设计。基于应变量子阱的能带理论、固体模型理论、克龙尼克-潘纳模型和光学传输矩阵方法,计算了压应变InGaAlAs量子阱的带隙、带阶、量子化子能级以及分布布拉格反射镜(DBR)的反射谱,从而确定了量子阱的组分、厚度以及反射镜的对数。数值模拟的结果表明,阱宽为6 nm的In0.14Ga0.74Al0.12As/Al0.3Ga0.7As量子阱,在室温下激射波长在800 nm左右,其峰值材料增益在工作温度下达到4000 cm-1;渐变层为20 nm的Al0.9Ga0.1As/Al0.2Ga0.8As DBR,出光p面为23对时反射率为99.57%,全反射n面为39.5对时反射率为99.94%。设计的顶发射VCSEL结构通过光电集成专业软件(PICS3D)验证,得到室温下的光谱中心波长在800 nm处,证实了结构设计的正确性。
张艳宁永强张金胜张立森张建伟王贞福刘迪秦莉刘云王立军
关键词:激光器垂直腔面发射激光器数值模拟分布布拉格反射镜NM
多层AlGaAs的时间分辨归一化反射率及各向异性反射率谱在线监测及分析被引量:1
2012年
通过光学在线监测技术对多层AlxGa1-xAs样品生长过程中的生长速率与表面结构进行了分析。描述了选取合适探测光子能量的方法并在线监测了样品生长过程中表面归一化反射率(Normalized Reflectance,NR)和各向异性反射率(Reflectance Anisotropy,RA)随生长时间的变化,得到了样品的时间分辨NR及RA曲线,利用光学干涉原理解释了NR曲线的振荡衰减特性。不同AlxGa1-xAs层NR曲线收敛值随Al组分的单调变化被认为是材料的折射率变化引起的,而RA值随Al组分的增加而增加说明Al原子的并入对表面光学各向异性有影响。通过拟合每一层材料的归一化反射谱振荡曲线得到了各层生长速率,与扫描电镜测试结果差别小于0.02 nm/s。对时间分辨RA曲线分析发现,生长温度对GaAs表面原子结构产生了影响。
张建伟宁永强张星张建徐华伟张金龙曾玉刚王立军
关键词:在线监测技术MOCVD
矩形结构垂直腔顶发射激光器的偏振特性
2012年
为了获得高功率的偏振激光,对矩形结构的980 nm大口径顶发射垂直腔面发射激光器(VCSEL)进行了研究。实验结果显示,对于400μm×80μm出光口径的矩形VCSEL器件,在工作电流内,水平偏振光和竖直偏振光共同存在,并且水平偏振光一直占据主导地位;而且水平偏振光的光谱相对于竖直偏振光有蓝移。这些现象和理论模型的分析结果非常吻合,证明矩形结构能很好的稳定大口径VCSEL的偏振方向。最后测得矩形VCSEL在水平方向和竖直方向的远场发散角分别为6.9°和10.2°。
王伟宁永强张金龙秦莉王立军
关键词:垂直腔面发射激光器偏振蓝移大口径
1060nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区设计(英文)被引量:3
2012年
对1 060 nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区进行了理论计算和设计。对比了GaAsP、GaAs和AlGaAs三种不同材料的垒层所组成的高应变InGaAs量子阱的性能。为了确定有源区阱层和垒层的参数,考虑了自热效应对功率的影响,使得模型更加精确可靠。发现所设计的In0.28Ga0.72As量子阱的阱宽和阱数的最佳值分别为9 nm和3个,输出功率可以达到瓦级。另外,对比了三种不同垒层的温度特性,结果显示,使用GaAsP垒层的器件在高温下具有更高的功率和更好的温度稳定性。最后,利用MOCVD生长了InGaAs/GaAsP量子阱并测试了其PL谱,实验数据与理论结果符合得很好。
张立森宁永强曾玉刚张艳秦莉刘云王立军曹军胜梁雪梅
关键词:垂直腔面发射激光器瓦级INGAAS
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