广东省科技计划工业攻关项目(2011A081301003)
- 作品数：11 被引量：28H指数：4
- 相关作者：罗毅邱万奇代明江韦春贝赵齐更多>>
- 相关机构：清华大学华南理工大学广州有色金属研究院更多>>
- 发文基金：广东省科技计划工业攻关项目北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 集成封装发光二极管光提取效率的计算及优化被引量：7
- 2014年
- 基于蒙特卡罗方法模拟、计算并分析了芯片类型、大小、间距、数量以及布局对GaN基发光二极管(LED)集成封装器件COB(Chip On Board)能效的影响。计算结果表明:在芯片间距小于200μm且芯片尺寸或布局等参数相同的条件下,正装LED COB的能效最低,其次为倒装LED COB,垂直结构芯片的能效最大。当芯片间距大于200μm,3种LED COB的能效趋向饱和。芯片尺寸增加或数量减少可使正装和倒装芯片COB的能效上升,而垂直结构COB的能效基本保持不变。加入图形衬底可提高同样尺寸或布局的正装芯片COB封装器件的能效,但使倒装芯片COB的能效恶化。分析表明:芯片的侧面出光量占整个芯片出光量的比值以及相邻芯片材料的吸收对3种类型COB封装器件的能效有决定性影响。文中还针对正装芯片COB设计了新型菱形芯片布局,与常规正方形芯片布局的COB相比,其能效提高了6.2%。
- 白一鸣罗毅韩彦军李洪涛
- 关键词：发光二极管集成封装光提取效率蒙特卡罗方法
- 钛过渡层及研磨预处理对金刚石薄膜质量的影响被引量：3
- 2013年
- 以紫铜为基体,采用热丝CVD法合成金刚石薄膜,研究了钛过渡层及研磨金刚石粉(俗称"种植晶仔")预处理对金刚石薄膜生长状态的影响。用X射线(XRD)、拉曼光谱、扫描电镜(SEM)对所沉积的金刚石薄膜进行了研究。研究发现:活性钛金属过渡层有利于金刚石的形核,而且也提高了成膜质量;"种植晶仔"预处理有利于金刚石形核,而且减少了非晶碳的形成。
- 赵齐代明江韦春贝邱万奇
- 关键词：金刚石薄膜
- 基于烟囱效应的集成封装半导体照明光源散热结构优化设计被引量：4
- 2013年
- 针对基于集成封装发光二级管(COB LED)的半导体照明光源,研究了引流孔的形状、尺寸和位置等对基于烟囱效应的散热器的散热特性的影响。CFD仿真模拟表明,对于50W热功率的COB LED散热结构,在导热板上形成两个面积为15cm2、以光源中心对称的矩形引流孔,可在保持COB LED最高温度小于52℃的条件下,将基于烟囱效应的散热器的重量进一步降低15%。实验结果与模拟结果基本一致。
- 张国旺韩彦军罗毅李洪涛
- 关键词：COB散热设计烟囱效应
- 金刚石薄膜热导率的研究现状(英文)被引量：1
- 2013年
- 分析了金刚石薄膜热导率的声子导热机理,从金刚石薄膜晶体结构的角度总结了影响热导率的因素,例如晶界、晶内杂质、缺陷、晶粒尺寸、晶粒取向、同位素;从金刚石薄膜合成工艺角度探讨了影响金刚石薄膜热导率的因素,例如基底材料及预处理、合成温度、气源及添加气体(氧气、氮气)、工作压强、功率等。
- 赵齐代明江韦春贝邱万奇侯惠君
- 关键词：金刚石薄膜热导率晶粒尺寸反应温度
- 微焊接用Al-Ti多层膜的结构和热性能研究
- 2014年
- 为了将Al-Ti多层膜更好地应用于反应微焊接技术,本文采用磁控溅射方法制备了五种不同调制周期和总厚的Al-Ti反应多层膜,分别使用电子探针显微分析仪、扫描电子显微镜、X射线衍射仪和同步热分析仪等对样品的结构和热性能进行研究。结果表明:纳米级多层膜的反应性明显高于微米级膜层。调制周期对纳米多层膜的反应性影响显著,随着周期减小,多层膜的起始反应温度降低、反应温度区间缩小、反应放热量增加,更易完成自蔓延反应。多层膜的调制周期超过600 nm时反应较弱,低于300 nm时反应较强,要实现低温反应微焊接,Al-Ti多层膜的调制周期应控制在100 nm左右。
- 胡海春张宇鹏赵兴科易耀勇易江龙代明江
- 关键词：微观结构热性能
- 倒装焊对探测器频响特性影响的理论分析及工艺优化
- 2013年
- 针对光探测器在倒装焊过程中频响性能恶化的问题,建立等效电路模型分析出其原因,并通过优化倒装焊工艺条件予以有效解决。该电路模型包括探测器芯片、过渡热沉和倒装焊环节三个部分。基于倒装焊后探测器的S11参数和频响曲线提取出倒装焊环节特征参数,确认焊点接触电阻过大是引起探测器频响下降的主要原因。通过优化倒装焊工艺条件,有效减小了焊点接触电阻,基本消除了倒装焊对探测器频响特性的影响。
- 刘振峰熊兵石拓叶柳顺孙长征罗毅
- 关键词：倒装焊频响特性
- 钨丝到基体表面距离对HFCVD金刚石薄膜质量的影响被引量：2
- 2013年
- 以紫铜为基体,在紫铜上先采用磁控溅射技术镀一层金属铬,再以H2和CH4作为反应气体,采用热丝化学气相沉积法（HFCVD）在铬过渡层上合成金刚石薄膜.利用X射线衍射（XRD）、激光拉曼光谱（Raman）、扫描电镜（SEM）分析薄膜的结构、成分和表面形貌,采用洛式硬度计压痕试验测量了膜基结合力,研究了钨丝-基体表面距离对金刚石薄膜质量的影响.研究发现：当钨丝-基体表面距离在5～9mm时,金刚石晶型很好,薄膜致密度较好,晶粒的平均尺寸为6～7μm,薄膜内应力为-2.15 GPa;当钨丝-基体表面距离在9～15 mm时,金刚石的晶型相对较好,但薄膜致密性不好,晶粒的平均尺寸为7～8 μm,薄膜内应力为-1.59 GPa;当钨丝-基体表面距离大于15mm后,金刚石的晶型较差,不能形成连续的金刚石薄膜,晶粒的平均尺寸为5～6μm,薄膜内应力约为0 GPa;铬过渡层不能有效提高金刚石薄膜与铜基体的结合力.
- 赵齐代明江韦春贝邱万奇侯惠君
- 关键词：金刚石薄膜热丝化学气相沉积
- 厚钛过渡层缓解铜基上热丝CVD金刚石薄膜内应力被引量：4
- 2013年
- 以紫铜为基体,在紫铜上先采用磁控溅射技术镀一层金属钛,再以H2和CH4作为反应气体,采用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在钛过渡层上合成金刚石薄膜,研究不同钛过渡层厚度对金刚石薄膜质量的影响。利用X射线(XRD)、激光拉曼光谱(Raman)、扫描电镜(SEM)分析薄膜的结构、成分和表面形貌,用能谱仪(EDS)对热处理前后样品的表面进行了元素分析。研究发现,当钛过渡层厚度为3μm时,生成的金刚石薄膜受到较大内应力而发生破裂;当钛过渡层厚度为25μm时,金刚石薄膜质量较好,薄膜受一定内应力,但没有破裂;850℃左右保温热处理12 h,铜原子与钛原子发生了扩散。
- 赵齐代明江韦春贝邱万奇侯惠君谭笛
- 关键词：金刚石薄膜内应力热丝化学气相沉积
- 基于纳米压印技术制作的线偏振蓝光LED被引量：1
- 2013年
- 提出一种准确计算LED偏振度(PR)的方法,并采用纳米压印技术制作了线偏振蓝光LED。方法考虑了LED朗伯型发光,计算整个半平面入射光透过光栅的TM模在TE和TM模中所占百分比。详细分析了光栅材料、光栅周期、占空比和光栅高度等对PR的影响,结果表明,当Al金属光栅周期为150nm、占空比为0.5和光栅高为120nm时,PR几乎为1;利用纳米压印技术结合感应耦合等离子刻蚀技术,制作了铝金属光栅。实际测试结果表明,将蓝光LED的偏振消光比(PER)由1.0∶1.0大幅度提高为2.2∶1.0。
- 李万永韩彦军罗毅
- 关键词：纳米压印
- 用于LED散热基片的金刚石复合材料的研究被引量：3
- 2013年
- 介绍了LED散热基片(金刚石-铜)的基本连接方式,分析金刚石与金属材料的直接焊接和金刚石先表面金属化后再和金属焊接的两种方式,概述了金刚石焊接检测技术并提出了金刚石钎焊存在的相关问题。对依次镀钛、银薄膜的金刚石块和镀银铜基片在500℃进行真空焊接研究,对焊接前后的样品进行XRD衍射分析得知:镀钛银的金刚石薄膜在焊接时,钛金属与金刚石表面的碳原子形成了碳化钛。
- 赵齐韦春贝代明江邱万奇侯惠君
- 关键词：LED金刚石金属化
