中国博士后科学基金(20080440934)
- 作品数：2 被引量：5H指数：2
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- 相关领域：一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>
- In/Sb掺杂SnO_2纳米薄膜的H_2S气敏特性被引量：2
- 2009年
- 采用溶胶-凝胶浸渍提拉法(Sol-Gel Dip-Coating,SGDC)制备SnO2纳米晶薄膜气敏传感器。较系统地研究了掺杂量、镀膜层次和热处理温度等制备工艺对薄膜表面形貌、晶粒大小及气敏性能的影响。研究结果表明:铟的最佳掺杂量为4at%,最佳镀膜层数为7层,最佳热处理温度为600℃.气敏传感器最佳工作温度为165℃,在此工作温度下,薄膜的灵敏度分别为26.3(137 ppm H2S)和2.5(2.74 ppm H2S),薄膜的响应恢复时间较短分别为8 s和22 s,对H2S气体有较好的选择性。
- 赵俊李冠娜周东祥郝永德
- 关键词：气敏薄膜二氧化锡硫化氢溶胶-凝胶法
- Na_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3-BaTiO_3无铅压电陶瓷制备及性能被引量：3
- 2009年
- 研究了不同烧结制度下的NBBT6陶瓷的致密度、介电和压电性能.870℃左右预烧,可以得到致密且压电和介电性能较好的陶瓷(d33=107 pC/N,rε=750,tanδ为3.23%).通过相应的粒度分析可知,提高预烧温度对粒度的影响不太大,但可用于湿法制备工艺中的原材料制备,解决湿法工艺中材料易被极性水分子解离而影响材料组分的问题.加入少量的BaTiO3到NBT中形成NBT-BT的固溶体,通过对压电介电性能及XRD的分析可知,当质量分数x=0.06时,(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xBaTiO3晶体结构出现由三方相到四方相的转变,此时的性能达到最大值(d33=114 pC/N,rε=1 173,tanδ为3.4%).
- 赵俊谢长生韩轲周东祥
- 关键词：无铅压电陶瓷钛酸铋钠钛酸钡压电性能掺杂改性
