您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(60736034)

作品数:2 被引量:4H指数:1
相关作者:曹洁刘孔王占国曲胜春更多>>
相关机构:中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇等离子体增强
  • 1篇等离子体增强...
  • 1篇电沉积
  • 1篇电池
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇酞菁
  • 1篇太阳电池
  • 1篇迁移率
  • 1篇氢化非晶硅
  • 1篇锌酞菁
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶硅
  • 1篇PECVD法
  • 1篇CIGS薄膜
  • 1篇INFLUE...

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇曲胜春
  • 1篇王占国
  • 1篇刘孔
  • 1篇曹洁

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
Influence of zinc phthalocyanines on photoelectrical properties of hydrogenated amorphous silicon
2009年
Composites consisting of hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H, inorganic) and zinc phthalocyanine (ZnPc, organic) were prepared by vacuum evaporation of ZnPc and sequential deposition amorphous silicon via plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The optical and electrical properties of the composite film have been investigated. The results demonstrate that ZnPc can endure the temperature and bombardment of the PECVD plasma and photoconductivity of the composite film was improved by 89.9% compared to pure a-Si: H film. Electron mobility-lifetime products μτ of the composite film were increased by nearly one order of magnitude from 6.96 × 10-7 to 5.08 × 10-6 cm2/V. Combined with photoconductivity spectra of the composites and pure a-Si: H, we tentatively elucidate the improvement in photoconductivity of the composite film.
张长沙曾湘波彭文博石明吉刘石勇肖海波王占国陈军王双青
关键词:等离子体增强化学气相沉积PECVD法氢化非晶硅电子迁移率锌酞菁
周期换向脉冲电沉积-硒化法制备铜铟镓硒薄膜被引量:4
2011年
采用周期换向脉冲电沉积法于Mo/玻璃及ITO/玻璃衬底上制备铜铟镓硒薄膜。Mo/玻璃或ITO/玻璃为工作电极,饱和甘汞(SCE)为参比电极,大面积铂片作为阳极构成三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,制备Cu-In-Ga-Se合金预制膜,随后在硒蒸气中进行硒化处理,得到了黄铜矿结构的CuInGaSe2(CIGS)薄膜.分别用SEM,XRD和UV-吸收分析了合金预制膜和CuInGaSe2薄膜的表面形貌、相组成及紫外-可见吸收特性。结果表明,周期换向脉冲电沉积法可以制备表面平整、均匀致密的Cu-In-Ga-Se合金薄膜;利用脉冲电压的占空比可以提高预制膜中的In元素的比例,且随着In含量的增加,CIGS薄膜的结晶性变好;适当延长硒化退火的时间,可以使薄膜晶粒大小均匀,减小内应力,使薄膜的光吸收率提高,以利于制备更高效率的CIGS薄膜太阳电池.
曹洁曲胜春刘孔王占国
关键词:电沉积CIGS薄膜太阳电池
共1页<1>
聚类工具0