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FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究被引量：3: 2000年; 本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 .; 于宗光徐征叶守银张国华黄卫王万业许居衍; 关键词：EEPROM

浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究被引量：4: 2000年; 本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手 ,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理 ,并提出了改进EEPROM保持特性的措施 .; 于宗光陆锋徐征叶守银黄卫王万业许居衍; 关键词：EEPROM 浮栅

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江苏省青年科技基金(BQ96040)