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国家自然科学基金(90607017)

作品数:3 被引量:2H指数:1
相关作者:张兴何进张钢刚牛旭东张健更多>>
相关机构:北京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇器件物理
  • 2篇MOSFET
  • 1篇电荷
  • 1篇英文
  • 1篇双栅
  • 1篇双栅MOSF...
  • 1篇非掺杂
  • 1篇RELIAB...
  • 1篇STRESS
  • 1篇SYMMET...
  • 1篇TESTS
  • 1篇BENCHM...
  • 1篇BETWEE...
  • 1篇CHARAC...
  • 1篇CURREN...
  • 1篇DISTRI...
  • 1篇FORWAR...
  • 1篇MOSFET...
  • 1篇表面势
  • 1篇FINFET

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇何进
  • 2篇张兴
  • 1篇牛旭东
  • 1篇张立宁
  • 1篇郑睿
  • 1篇张钢刚
  • 1篇傅越
  • 1篇张健

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇电子学报

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2006
3 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Benchmark tests on symmetry and continuity characteristics between BSIM4 and ULTRA-BULK
2009年
This paper presents the benchmark test results on the symmetry and continuity characteristics between BSIM4 from Berkeley and ULTRA-BULK from Peking University. It is shown that the industry standard model BSIM4 has a series of the shortcomings of the continuity and symmetry, such as the charge, high-order current derivatives, and the trans-capacitances while the latest advanced surface-potential based MOSFET compact model, ULTRA-BULK, demonstrates all necessary continuity and symmetry characteristics, which are very important for analog and RF circuit design.
牛旭东李博宋岩张立宁何进
关键词:CONTINUITYSYMMETRY
FinFET Reliability Study by Forward Gated-Diode Method
Reliability of FinFETs is studied in this paper using the forward gated-diode generation-recombination(G-R) cu...
Chenyue MaBo LiYiqun WeiLining ZhangJin HeXing ZhangXinnan Lin
关键词:FINFETSTRESSDISTRIBUTION
非掺杂对称双栅的基于完整表面电势的核心模型(英文)
2008年
通过求解Poisson方程自洽地得到了表面电势随沟道电压的变化关系,从而推出了非掺杂对称双栅MOSFET的一个基于表面势的模型.通过Pao-Sah积分得到了漏电流的表达式.该模型由一组表面势方程组成,解析形式的漏电流可以通过源端和漏端的电势得到.结果标明该模型在双栅MOSFET的所有工作区域都成立,而且不需要任何简化(如应用薄层电荷近似)和辅助拟合函数.对不同工作条件和不同尺寸器件的二维数值模拟与模型的比较进一步验证了提出模型的精度.
何进张立宁张健傅越郑睿张兴
关键词:双栅MOSFET器件物理
对表面势为基础的MOSFET片电荷模型的基本检验被引量:2
2006年
本文完成了对多种表面势为基础的MOSFET片电荷(charge-sheet)模型反型层电荷和沟道电流计算的基本检验.相对于以基本的MOSFET器件物理为基础的Pao-Sah模型结果,大多数片电荷模型在不同的工作区域内都会出现不同程度的反型层电荷计算误差.为了模拟沟道电流,MOSFET片电荷模型必须使用一个半经验的沟道电流方程.这个近似会导致沟道电流方程和反型层电荷方程之间物理上的不自恰,从而使计算的沟道电流结果与Pao-Sah模型相比有近10%的误差.这些基本的检验结果表明:为了保持基本的MOSFET器件物理内容和Pao-Sah模型的高精度,以表面势为基础的片电荷模型还需要一些根本的器件物理改进和进一步的模型精度提高.
何进牛旭东张钢刚张兴
关键词:MOSFETS器件物理
共1页<1>
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