2025年1月20日
星期一
|
欢迎来到青海省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
上海-AM基金(0504)
作品数:
2
被引量:4
H指数:1
相关作者:
冉峰
杨殿雄
陆嘉
姜玉稀
更多>>
相关机构:
上海大学
更多>>
发文基金:
上海-AM基金
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
相关作品
相关人物
相关机构
相关资助
相关领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
2篇
中文期刊文章
领域
2篇
电子电信
主题
2篇
NMOS
2篇
ESD
2篇
ESD保护
1篇
电路
1篇
寄生效应
1篇
保护器件
1篇
ESD保护电...
1篇
ESD保护器...
1篇
GGNMOS
机构
2篇
上海大学
作者
2篇
姜玉稀
2篇
陆嘉
2篇
杨殿雄
2篇
冉峰
传媒
2篇
微计算机信息
年份
2篇
2008
共
2
条 记 录,以下是 1-2
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
NMOS ESD保护器件直流仿真模型设计
被引量:1
2008年
本文对NMOS ESD保护器件建模中的骤回现象和寄生效应进行了研究,并据此提出了一个NMOS ESD保护器件的DC模型。该模型包括基于BSIM3模型的MOS管、反映寄生效应的寄生NPN晶体管、衬底电阻和串联电阻。提出了用于描述模型工作在大电流区域时状态的I-V特性计算公式和对模型所需晶体管参数进行提取的方法。仿真结果表明该模型能够较好地描述NMOS ESD保护器件的工作特性。
姜玉稀
陆嘉
冉峰
杨殿雄
关键词:
ESD
寄生效应
0.6um工艺NMOS ESD保护电路版图优化
被引量:4
2008年
本文研究了在0.6um工艺下,数个版图参数对NMOS ESD保护器件性能的影响,并给出了这些版图参数适宜值的范围;提出了用于I/OPAD的ESD保护电路的版图优化方法,并证明了版图优化在提高ESD保护电路性能上的作用。
姜玉稀
陆嘉
冉峰
杨殿雄
关键词:
ESD
GGNMOS
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张