国家部委预研基金(51312060104)
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
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- MOSFET栅漏电流噪声模型研究
- 2009年
- 随着MOSFET尺寸的不断减小,栅漏电流对器件特性的影响日益明显。栅漏电流噪声一方面影响器件性能,另一方面可用于栅介质质量表征,因此对其研究备受关注。由于栅介质噪声研究具有重要意义,文献中已经建立起各种各样的噪声模型,文中对其进行了归纳整理。在此基础上分析了各种模型的特性和局限性,进而探讨了其应用范围。
- 赖忠有杜磊
- 关键词：栅介质噪声模型
- VDMOS器件损伤的DC/DC转换器辐射预兆单元设计
- 2009年
- 文中应用预警和健全管理(PHM)方法,在深入研究了辐射导致VDMOS器件和DC/DC转换器性能退化之间关系的基础上,设计了基于VDMOS器件损伤的DC/DC转换器辐射预兆单元。经过仿真证实了所设计的预兆单元可以提前报警。
- 曹鹏辉杜磊包军林张婧婧陈晓东阎家铭
- 关键词：DC/DC转换器VDMOS器件
- 多晶硅导电材料的1/f噪声模型研究
- 2009年
- 在多晶硅导电材料的1/f噪声迁移率涨落、载流子数涨落机制和模型的基础上,修正了基于迁移率涨落机制的噪声模型。通过分析材料中载流子输运的实际物理过程,论证了产生1/f噪声的两种机制同时存在于多晶硅材料中,提出建立多晶硅导电材料1/f噪声双机制不同掺杂浓度统一模型的思路。
- 张天福杜磊何亮陈伟华赵鸿飞
- 关键词：多晶硅
- 短沟道MOSFET散粒噪声测试方法研究被引量：2
- 2009年
- 针对MOSFET散粒噪声难以测量的特点,提出了一种低温散粒噪声测试方法。在屏蔽环境下,将被测器件置于低温装置内,有效抑制了外界电磁波和热噪声的干扰,采用背景噪声足够低的放大器以及偏置器、适配器等,建立低温散粒噪声测试系统。应用本系统对短沟道MOSFET器件进行噪声测试,分析该器件散粒噪声的特性。
- 郑磊杜磊陈文豪
- 关键词：散粒噪声
