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国家自然科学基金(19890310)

作品数：42 被引量：228H指数：9
相关作者：朱逢吾于广华赖武彦赵洪辰李明华更多>>
相关机构：北京科技大学中国科学院南京大学更多>>
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相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 42篇中文期刊文章

领域

  • 25篇理学
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  • 7篇电气工程
  • 5篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇矿业工程

主题

  • 9篇磁电
  • 9篇磁电阻
  • 7篇多层膜
  • 6篇巨磁电阻
  • 6篇溅射
  • 6篇交换偏置
  • 6篇NI
  • 6篇XPS
  • 6篇X
  • 5篇电子能
  • 5篇电子能谱
  • 5篇织构
  • 5篇铁磁
  • 5篇自旋
  • 5篇光电子能谱
  • 5篇TA
  • 5篇X射线
  • 5篇X射线光电子...
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射

机构

  • 25篇北京科技大学
  • 18篇中国科学院
  • 5篇南京大学
  • 4篇中国科学院微...
  • 2篇首都师范大学
  • 1篇钢铁研究总院
  • 1篇华中科技大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇烁光特晶科技...
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作者

  • 18篇朱逢吾
  • 16篇于广华
  • 14篇赖武彦
  • 6篇李明华
  • 6篇赵洪辰
  • 6篇姜宏伟
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  • 5篇马纪东
  • 5篇蔡建旺
  • 3篇胡安
  • 3篇滕蛟
  • 3篇田中卓
  • 3篇龙世兵
  • 2篇张泽
  • 2篇都有为
  • 2篇常香荣
  • 2篇于涛
  • 2篇王东生
  • 2篇卢正启
  • 2篇张国海

传媒

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  • 4篇Scienc...
  • 3篇科学通报
  • 2篇物理
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  • 1篇无机材料学报
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  • 1篇磁性材料及器...
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇Journa...

年份

  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 8篇2003
  • 18篇2002
  • 9篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
共 42 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
降低适用于高密记录写入磁头的Fe-N薄膜矫顽力的研究被引量：1
2004年
用RF磁控溅射方法,在高功率下制备厚度为2μm的薄膜,当N含量在5.9～8.5%原子分数范围内,形成α′+α″相时,4πMs=2.2T,Hc=58.6A/m,可以满足针对高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要。用该方法在不同的本底真空度下制备Fe N薄膜,发现较高真空下比较低真空下制备的Fe N薄膜磁学性能要好。P=1000W时,较高真空下制备的Fe N薄膜的矫顽力为34.8A/m,较低真空下制备的Fe N薄膜的矫顽力为58.6A/m。AFM测试表明,在功率条件相同情况下,较高真空下制备的Fe N薄膜表面光滑、平整、起伏小、薄膜致密;而较低真空下制备的Fe N薄膜,表面粗糙、起伏大、薄膜较疏松、不均匀。
李丹张静雷牧云田中卓潘峰
关键词：FE-N薄膜矫顽力磁头磁记录介质
Magnetic property and interface structure of Ta/NiO/NiFe/Ta被引量：1
2001年
Ta/NiO/NiFe/Ta multilayers, utilizing Ta as buffer layer, were prepared by rf reactive and dc magnetron sputtering. The exchange coupling field between NiO and NiFe reached a maximum value of 9.6 ×103 A/m at a NiO film thickness of 50 nm. The composition and chemical states at interface region of Ta/NiO/Ta were studied by using the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and peak decomposition technique. The results show that there is an 'intermixing layer' at the Ta/NiO (and NiO/Ta) interface due to a thermodynamically favorable reaction 2Ta + 5NiO = 5Ni + Ta2O5. This interface reaction has a great effect on exchange coupling. The thickness of Ni+NiO estimated by XPS depth-profiles is about 8-10 nm.
YU GuanghuaCHAI ChunlinZHU FengwuXIAO Jimei
关键词：NIOREACTIONX-RAYPHOTOELECTRONEXCHANGE
NiFe/FeMn双层膜交换偏置的形成及热稳定性研究被引量：7
2004年
研究了在铁磁 (NiFe) 反铁磁 (FeMn)双层膜之间 ,交换偏置的形成过程和热稳定性 ,特别是NiFe FeMn的交换偏置作用与FeMn层晶粒尺寸的关系 .和以前作者不同的是 ,本文方法采用非磁性Ni Fe Cr合金作缓冲层材料 ,改变Cr的含量就可以获得不同晶粒尺寸的反铁磁FeMn层 .实验表明 ,晶粒尺寸较小的FeMn产生较强的铁磁 反铁磁交换偏置场 ;但是 ,对于较大晶粒的FeMn层 ,出现交换偏置作用所要的临界厚度较小 .这符合Mauri提出的理论模型 .交换偏置场的热稳定性实验表明 ,具有较大晶粒尺寸的FeMn层给出较高的偏置场的截止温度 .这和Noshioka的实验与理论一致 ,即较大的反铁磁层晶粒具有较大的激活能和较长的弛豫时间 .
滕蛟蔡建旺熊小涛赖武彦朱逢吾
关键词：反铁磁交换偏置热稳定性晶粒尺寸激活能弛豫时间
Ni_(81)Fe_(19)/Ni_(100-x)Mn_x双层膜的交换偏置对Ni_(100-x)Mn_x层Mn成分和厚度的依赖被引量：9
2003年
通过调整Mn的成分 ,系统地研究了Ni81 Fe1 9 Ni1 0 0 -xMnx 双层膜的磁学性质 ,特别是交换偏置场 (Hex)的变化 .当Ni1 0 0 -xMnx 中Mn的原子百分比在 5 3 4 %到 6 0 0 %之间时 ,对于 15 0nm的Ni81 Fe1 9,得到了最大的交换偏置场17 5kA m ,同时由于Mn对Ni81 Fe1 9层的扩散所造成的磁矩的降低小于 2 0 % ;高角x射线衍射证明Ni1 0 0 -xMnx 的晶格常数随着Mn成分的改变而变化 ,Mn含量越多 ,其晶格常数越大 ;制备态Ni1 0 0 -xMnx 膜晶格常数与θ相NiMn膜晶格常数的接近程度与NiMn膜θ相形成的容易程度相对应 .也研究了交换偏置场随着Ni1 0 0 -xMnx 厚度的变化 ,第一次得到了当Ni1 0 0 -xMnx 中Mn的原子百分比为 70 6 %时 ,Ni81 Fe1 9(15 0nm) Ni1 0 0 -xMnx(9 0nm)双层膜在经过 2 4 0℃ ,5h退火后 ,可以有 8 0kA m的交换偏置场 ,此时铁磁层磁矩的大小几乎不变 .
代波蔡建旺赖武彦
关键词：厚度交换偏置场铁磁材料反铁磁材料
Ta,Ta/Cu缓冲层对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响被引量：17
2001年
采用磁控溅射方法制备了分别以Ta和Ta Cu作为缓冲层的一系列NiFe FeMn双层膜 .实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe FeMn双层膜的交换偏置场比以Ta Cu为缓冲层的NiFe FeMn双层膜的交换偏置场大 .测量了这两种双层膜的织构、表面粗糙度和表面成分 .结果表明 ,以Ta Cu为缓冲层时 ,Cu在NiFe层的上表面偏聚是造成NiFe FeMn双层膜交换偏置场降低的重要原因 .
李明华于广华姜宏伟蔡建旺朱逢吾
关键词：交换偏置场织构表面粗糙度TA缓冲层
NiFeSiMnMo/Cu/NiFeSiMnMo多层膜的非线性巨磁阻抗效应被引量：1
2005年
观察用蒸镀法制备的NiFeSiMnMo/Cu/NiFeSiMnMo多层膜的巨磁阻抗效应,经过退火后,得到性能优良的坡莫合金材料,研究了GMI效应与交变电流频率f和外加直流磁场H的关系,样品在3MHz的频率下能够获得一个14.9%的非线性巨磁阻抗效应。
孙智勇郑鹉王艾玲姜宏伟
关键词：巨磁阻抗效应非线性多层膜电流频率直流磁场
工艺参数对Ni_(81)Fe_(19)薄膜磁性及微结构影响被引量：7
2001年
在不同本底真空和工作气压下制备了不同厚度的Ｎｉ８１Ｆｅ１９／Ｔａ薄膜，并进行了磁性测量 和原子力显微镜分析．结果表明，较厚的薄膜、较高的本底真空和较低的工作气压下制备的薄 膜有较大的各向异性磁电阻．其原因是高本底真空和低工作气压导致大晶粒度和低粗糙度，进 而降低电子的散射，减小电阻Ｒ，增大△Ｒ／Ｒ．而较厚薄膜中，大晶粒度的作用将抵消高粗糙度的 负作用，使△Ｒ／Ｒ值增大．
赵洪辰于广华金成元苏世漳朱逢吾
关键词：各向异性磁电阻表面粗糙度晶粒尺寸微结构
物理学与材料科学结合的机遇与挑战
2002年
物理学 ,特别是凝聚态物理学与材料科学的交叉在近几十年已取得丰硕的研究成果 .文章分四部分 :(1)简要介绍了材料与材料科学的基本概念 ;(2 )回顾近代历史上物理学与材料科学交叉的一些典型例子 ;(3)介绍在表面和界面、缺陷、理论和模型、微结构表征、新材料以及新工艺等领域物理学与材料科学交叉的简况及材料研究的一些前沿问题 ;(4)
马纪东朱逢吾
关键词：物理学纳米材料
不同缓冲层对NiFe/FeMn双层膜交换耦合场的影响
2002年
采用磁控溅射方法制备了NiFe/FeMn双层膜 ,分别以Ta ,Cu作为缓冲层 ,Ta作为保护层。实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场大 ,而矫顽力却很小。本文分别从织构、界面粗糙度、界面偏聚等几方面对其中的原因进行了分析。除不同缓冲层引起的织构、界面粗糙度不同对交换耦合场有影响外 。
李明华于广华朱逢吾姜宏伟赖武彦
关键词：织构界面粗糙度磁控溅射镍铁合金
SiO_2/Ta界面反应及其对铜扩散的影响(英文)被引量：1
2002年
利用磁控溅射方法在表面有SiO2 层的Si基片上溅射Ta/NiFe薄膜 ,采用X射线光电子能谱 (XPS)研究了SiO2 /Ta界面以及Ta5Si3 标准样品 ,并进行计算机谱图拟合分析 .实验结果表明在制备态下在SiO2 /Ta界面处发生了热力学上有利的化学反应 :37Ta +15SiO2 =5Ta5Si3 +6Ta2 O5,界面处形成更稳定的化合物新相Ta5Si3 、Ta2 O5.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡 .
龙世兵马纪东于广华赵洪辰朱逢吾张国海夏洋
关键词：扩散阻挡层X射线光电子能谱XPS
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