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上海市青年科技启明星计划(01QMH1403)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：张苗门传玲沈勤我安正华谢欣云更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：上海市青年科技启明星计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇锗硅
  • 1篇集成电路
  • 1篇SI
  • 1篇SOI结构
  • 1篇硅
  • 1篇SIGE

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇林成鲁
  • 1篇谢欣云
  • 1篇安正华
  • 1篇沈勤我
  • 1篇门传玲
  • 1篇张苗

传媒

  • 1篇物理

年份

  • 1篇2002
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展
2002年
SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势 ,因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一 .文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作 ,综述了SiGe-OI材料研究情况和应用前景 ,详细介绍了其主要的制备方法 ,最后报道了作者在SiGe -OI材料研究上的一些实验结果 .
安正华张苗门传玲谢欣云沈勤我林成鲁
关键词：硅锗硅集成电路SIGESISOI结构
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