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博士科研启动基金(MSB201006)

作品数：1 被引量：5H指数：1
相关作者：付斯年吴春雷郑友进王丹黄海亮更多>>
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相关领域：理学机械工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮掺杂
  • 1篇电阻率
  • 1篇金刚石膜
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇牡丹江师范学...

作者

  • 1篇朱瑞华
  • 1篇黄海亮
  • 1篇王丹
  • 1篇郑友进
  • 1篇吴春雷
  • 1篇付斯年

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
氩气浓度对氮掺杂金刚石膜的影响被引量：5
2012年
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(DC-PCVD)方法,以三聚氰胺(C3H6N6)的甲醇(CH3OH)饱和溶液为掺杂源,通过改变反应气氛中的Ar浓度,在P型Si(111)基片上沉积了氮掺杂纳米金刚石膜。采用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪、霍尔测试系统等分析了不同Ar浓度对氮掺杂金刚石膜生长特性的影响。结果表明:随着Ar浓度的增加,膜的晶粒尺寸逐渐减小,表面变得光滑平整;由拉曼G峰漂移引起的压应力先减小后增大;膜的导电性能变好。且由于C3H6N6的引入,使得在较低的Ar浓度下(H2/Ar流量比为100/100时),即可制得晶粒尺寸在30～50 nm的高质量的金刚石膜样品,远低于H2/Ar体系的Ar浓度为90%的阈值。
吴春雷郑友进朱瑞华王丹付斯年黄海亮
关键词：氮掺杂电阻率
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