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国家重点基础研究发展计划(G2000028202)

作品数:14 被引量:83H指数:7
相关作者:赵颖耿新华张晓丹孙建朱锋更多>>
相关机构:南开大学河北工业大学河北省信息产业厅更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划天津市科技攻关项目更多>>
相关领域:理学电气工程电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 8篇会议论文

领域

  • 12篇电气工程
  • 5篇理学
  • 4篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇硅薄膜
  • 7篇微晶硅
  • 7篇微晶硅薄膜
  • 7篇VHF-PE...
  • 6篇电池
  • 5篇太阳电池
  • 4篇衬底
  • 4篇衬底温度
  • 3篇电导
  • 3篇电导率
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇电极
  • 2篇射线衍射
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电薄膜
  • 2篇稳定性
  • 2篇激活能
  • 2篇溅射
  • 2篇溅射制备
  • 2篇光谱

机构

  • 19篇南开大学
  • 4篇天津大学
  • 3篇河北工业大学
  • 1篇中北大学
  • 1篇河北省信息产...
  • 1篇光电信息技术...

作者

  • 15篇赵颖
  • 13篇耿新华
  • 12篇张晓丹
  • 10篇朱锋
  • 9篇高艳涛
  • 9篇孙建
  • 7篇熊绍珍
  • 7篇魏长春
  • 6篇薛俊明
  • 4篇侯国付
  • 4篇任慧志
  • 2篇王岩
  • 2篇郭群超
  • 2篇吴春亚
  • 2篇朱峰
  • 2篇韩晓艳
  • 1篇熊强
  • 1篇陈飞
  • 1篇麦耀华
  • 1篇徐步衡

传媒

  • 6篇物理学报
  • 5篇Journa...
  • 2篇Acta M...
  • 1篇光电子.激光

年份

  • 6篇2006
  • 8篇2005
  • 5篇2004
  • 3篇2003
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池被引量:11
2005年
采用VHF PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料和电池也有很大的差别,把相应的材料应用于电池上时,这一点很重要.采用VHF PECVD技术制备的微晶硅电池效率为5%,Voc=0 45V,Jsc=22mA/cm2,FF=50%,Area=0 253cm2.
张晓丹赵颖朱锋魏长春高艳涛孙健侯国付薛俊明耿新华熊绍珍
关键词:微晶硅薄膜
激发频率对VHF-PECVD制备微晶硅材料性能的影响被引量:9
2006年
采用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)的方法制备了硅烷浓度分别为6%和7%,随激发频率变化(40—70MHz)的氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜材料.研究了材料的电学特性、结构特性、沉积速率与激发频率之间的关系.结果发现材料的光敏性随频率的增加先降低后提高,晶化率和沉积速率的变化趋势与之相反;在晶化率最高点,材料在(220)的晶向衍射峰最高.并从光发射谱的角度研究了材料结构和沉积速率随频率变化的原因.
高艳涛张晓丹赵颖孙建朱峰魏长春
关键词:激发频率
高电导率P型微晶硅薄膜材料
本文对获得高电导率P型微晶硅薄膜材料进行了研究。当硅烷浓度(SC=SiH/(H+SiH))小于1%时,材料的晶化率和激活能大,电导率小:随着硅烷浓度的提高,材料的晶化率和激活能单调减小,电导率增大;SC>1%,材料的电导...
朱锋魏长春张晓丹孙建高艳涛赵颖耿新华
关键词:电导率激活能晶化率
微晶硅薄膜的制备及结构和稳定性研究被引量:9
2005年
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同衬底温度的微晶硅薄膜.利用傅里叶变换红外吸收对制备薄膜进行了结构方面的测试分析.结果表明:随衬底温度的升高,材料中的氢含量总的趋势下降;傅里叶变换红外吸收和二次离子质谱测试结果都显示薄膜中氧含量随衬底温度的升高而增加(在1019cm-3量级);与高衬底温度相比,低衬底温度制备的材料易于后氧化,这说明低温制备材料的稳定性不好.
张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
关键词:微晶硅薄膜衬底温度等离子体增强二次离子质谱后氧化
微晶硅薄膜太阳电池光稳定性研究
利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法沉积了一系列不同晶化率的微晶硅薄膜太阳电池,并对其进行了光照老化实验。通过对比白光和红光两种光源照射下电池I-V特性的变化,发现白光照射后的高晶化电池衰退率只有5...
韩晓艳王岩薛俊明任慧志赵颖李养贤耿新华
关键词:VHF-PECVD光稳定性
文献传递
微晶硅薄膜的制备及其结构的X-Ray衍射分析
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了系列不同沉积条件的微晶硅薄膜。X-Ray衍射测试结果表明材料的择优取向随着功率的增大发生了规律性的变化,体现出了(220)方向择优,而且X-Ray衍射测试...
张晓丹高艳涛赵颖朱锋魏长春孙建周子彬何青刘芳芳耿新华熊绍珍
关键词:VHF-PECVD微晶硅薄膜
电极结构对硅薄膜生长过程及材料特性的影响被引量:4
2005年
在制备硅薄膜材料的PECVD系统中,分别采用普通平行板电极和网状电极,在相同的工艺条件下研究了电极结构对硅薄膜材料均匀性、电学性能以及微结构的影响.发现采用网状电极使薄膜(400~500nm)均匀性得到明显改善,在20cm×20cm内不均匀性从±12.6%下降到±2.1%.等离子体发光光谱的测试表明,网状电极可大大提高硅烷的利用率,因而在相同工艺条件下,生长微晶硅材料需要更高的功率密度.文中对实验结果进行了详细的讨论.
侯国付郭群超任慧志张晓丹薛俊明赵颖耿新华
关键词:网状电极硅薄膜均匀性
中频脉冲磁控溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜被引量:7
2006年
采用中频磁控溅射工艺,以2%的Al掺杂的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面及绒面透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜,系统研究了衬底温度、工作气压和溅射功率等对平面ZAO结构和光电特性的影响,并对湿法腐蚀制备绒面ZAO薄膜进行了介绍。获得了适合太阳电池的高性能薄膜,其电阻率为4.6×10^-4Ω·cm,载流子浓度为4.9×10^20cm^-3,霍尔迁移率为56cm^2/V·s,可见光范围内(400~800nm)的平均透过率大于85%。
黄宇孙建薛俊明马铁华熊强赵颖耿新华
关键词:中频磁控溅射衬底温度
提高微晶硅薄膜太阳电池效率的研究被引量:13
2006年
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅薄膜太阳电池,指出了气体总流量和背反射电极的类型对电池性能参数的影响.电池的I-V测试结果表明:随反应气体总流量的增加,对应电池的短路电流密度、开路电压和填充因子都有很大程度的提高,结果使得电池的光电转换效率得以提高.另外,ZnO/Ag/Al背反射电极能明显提高电池的短路电流密度,进而也提高了电池的光电转换效率.对气体总流量和背反射电极类型影响电池效率的原因进行了分析.
张晓丹赵颖高艳涛陈飞朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
关键词:气体流量
太阳电池用本征微晶硅材料的制备及其结构研究被引量:8
2005年
采用VHF-PECVD技术制备了系列不同硅烷浓度和反应气压的微晶硅薄膜.运用拉曼散射光谱和x射线衍射对制备的材料进行了结构分析.在实验研究的范围内,制备材料的晶化程度随硅烷浓度的增加而降低.XRD的测试结果表明制备的微晶硅材料均体现了(220)方向择优.应用在电池的有源层中,制备出了效率达7·1%的单结微晶硅太阳电池,电池的结构是glass/ZnO/p(μc-SiH)/i(μc-SiH)/n(a-SiH/Al),没有ZnO背反射电极,有源层的厚度仅为1·2μm.
张晓丹赵颖高艳涛朱锋魏长春孙建耿新华熊绍珍
关键词:X射线衍射微晶硅薄膜硅太阳电池硅材料本征
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