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国家自然科学基金(10334040)

作品数:4 被引量:1H指数:1
相关作者:徐仲英孙宝权姬扬孙征王宝瑞更多>>
相关机构:中国科学院香港科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇量子链
  • 2篇光学
  • 2篇光学特性
  • 2篇INGAAS...
  • 1篇载流子
  • 1篇静压
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光研究
  • 1篇发光
  • 1篇发光研究
  • 1篇Y型沸石
  • 1篇ZNS:MN
  • 1篇ABOVE
  • 1篇DOPING
  • 1篇GAASN

机构

  • 4篇中国科学院
  • 1篇香港科技大学

作者

  • 3篇徐仲英
  • 2篇王宝瑞
  • 2篇孙征
  • 2篇姬扬
  • 2篇孙宝权
  • 1篇苏付海
  • 1篇罗向东
  • 1篇马宝珊
  • 1篇李国华
  • 1篇丁琨
  • 1篇谭平恒
  • 1篇葛惟昆

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2005
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
不同尺寸ZnS:Mn纳米粒子的静压光致发光研究
2005年
测量了ZnS:Mn纳米粒子以及相应体材料在不同压力下的光致发光谱.随压力增大,来源于Mn2+离子的4T1 6A1 跃迁的桔黄色发光明显红移.体材料和 10, 4. 5, 3. 5, 3nm的ZnS:Mn纳米粒子中Mn2+发光的压力系数分别是-29. 4±0. 3和-30. 1±0. 3, -33. 3±0. 6, -34. 6±0. 8, -39±1meV/GPa,压力系数的绝对值随粒子尺寸减小而增大,该种尺寸关系由晶体场场强Dq和Racah参数B值的尺寸依赖性引起. 1nm样品的Mn2+发光的特殊压力行为是因为样品的粒子尺寸比较小,另外,分布在Y型沸石中的纳米粒子的表面状况也不同于其它样品.
苏付海马宝珊丁琨李国华CHEN Wei
关键词:ZNS:MNMN^2+静压尺寸依赖性Y型沸石
InGaAs/GaAs量子链的光学特性研究被引量:1
2008年
研究了InGaAs/GaAs量子链的稳态和瞬态光谱特性,特别是载流子的动力学过程.实验发现荧光寿命有很强的探测能量依赖关系,荧光寿命随发光能量的增加而减小;实验还发现,当激发功率较小时,荧光寿命随激发功率增大而增大,当激发功率足够大时,荧光寿命趋于饱和.这些结果清楚地表明,在量子链结构中,参与发光的载流子之间存在明显的耦合和输运现象,进一步分析表明,这种输运主要是由于载流子沿量子链方向的耦合造成的.发光的偏振特性研究进一步证实了载流子沿量子链方向输运过程.
王宝瑞孙征徐仲英孙宝权姬扬Z. M. WangG.J. Salamo
关键词:INGAAS/GAAS量子点量子链光学特性载流子
量子链和量子点光学特性的比较研究
2008年
比较研究了InGaAs/GaAs量子链和量子点的稳态和瞬态光学特性.实验发现,量子链的荧光寿命有很强的探测能量依赖关系,而量子点的荧光寿命随能量变化较小;量子链的荧光寿命随着激发功率迅速增加,高功率时趋于饱和,而量子点的荧光寿命随激发功率变化缓慢;此外,量子链样品的荧光上升时间也比量子点的小得多.这些结果清楚表明,在量子链结构中,参与发光的载流子之间存在很强的耦合和输运.进一步分析表明,这种耦合作用主要发生在量子链方向.荧光的偏振特性进一步证实了这一点.
王宝瑞孙征徐仲英孙宝权姬扬Z.M.WangG.J.Salamo
关键词:INGAAS/GAAS量子点量子链光学性质
Resonant Raman Scattering and Photoluminescence Emissions from Above Bandgap Levels in Dilute GaAsN Alloys
2006年
The transitions of E0 ,E0 +A0, and E+ in dilute GaAs(1-x) Nx alloys with x = 0.10% ,0.22% ,0.36% ,and 0.62% are observed by micro-photoluminescence. Resonant Raman scattering results further confirm that they are from the intrinsic emissions in the studied dilute GaAsN alloys rather than some localized exciton emissions in the GaAsN alloys. The results show that the nitrogen-induced E E+ and E0 + A0 transitions in GaAsN alloys intersect at a nitrogen content of about 0.16%. It is demonstrated that a small amount of isoelectronic doping combined with micro-photoluminescence allows direct observation of above band gap transitions that are not usually accessible in photoluminescence.
谭平恒罗向东葛惟昆徐仲英Zhang YMascarenhas AXin H PTu C W
关键词:GAASNPHOTOLUMINESCENCE
共1页<1>
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