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江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ12496)

作品数:2 被引量:1H指数:1
相关作者:文思逸胡飞胡跃辉付梦乾陈镜昌更多>>
相关机构:景德镇陶瓷学院香港理工大学更多>>
发文基金:留学人员科技活动项目择优资助经费江西省自然科学基金江西省教育厅科学技术研究项目更多>>
相关领域:化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇化学工程

主题

  • 2篇电沉积
  • 2篇铜铟硒
  • 1篇电沉积制备
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学沉积
  • 1篇电化学沉积法
  • 1篇电位
  • 1篇铜铟硒薄膜
  • 1篇柠檬酸钠
  • 1篇化学沉积法
  • 1篇恒电位
  • 1篇CIS
  • 1篇CUINSE...

机构

  • 2篇景德镇陶瓷学...
  • 1篇香港理工大学

作者

  • 2篇胡跃辉
  • 2篇胡飞
  • 2篇文思逸
  • 1篇叶澍
  • 1篇陈镜昌
  • 1篇付梦乾

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇材料导报(纳...

年份

  • 2篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
低In电解液电沉积制备CuInSe2吸收层被引量:1
2012年
通过线性电位扫描分析了低In电解液中的阴极电化学反应,结果表明柠檬酸钠可以降低Cu2+的活性,而H2SeO3的加入可导致阴极上Se元素与Cu2+和In3+发生复杂的协同反应。低In电解液中恒电位沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,分段电位的恒电位沉积得到的薄膜更接近于CuInSe2(CIS)化学计量比。薄膜在N2气氛上退火处理,得到了黄铜矿结构CIS薄膜,禁带宽度为1.06eV。
胡飞陈镜昌付梦乾文思逸胡跃辉
关键词:柠檬酸钠
分段恒电位电化学沉积法制备CuInSe_2吸收层
2012年
采用分段恒电位电沉积法在FTO导电玻璃上制备了CuInSe2(CIS)薄膜。通过线性电位扫描分析了阴极的电化学反应,并通过电化学沉积法制备了CIS薄膜。结果表明,恒电位电化学沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,增加溶液中铟离子的浓度,可以提高铟在镀层的含量,使薄膜更接近CIS化学计量比。而采用分段恒电位法沉积薄膜,可以抑制铜硒化合物的生长,使薄膜更接近于CIS化学计量比。
胡飞叶澍文思逸胡跃辉
关键词:铜铟硒薄膜
共1页<1>
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