国家自然科学基金(10334030)
- 作品数：7 被引量：47H指数：2
- 相关作者：赵建华王玮竹邓加军郑玉宏毕京锋更多>>
- 相关机构：中国科学院中国科学技术大学上海市计量测试技术研究院更多>>
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性
- 2008年
- 运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理.退火(Ga,Mn)As的超快克尔增强效应显示其在超高速全光自旋开关方面的潜在应用价值,也为(Ga,Mn)As铁磁性起源的p-d交换机理提供了证据.
- 刘晓东王玮竹高瑞鑫赵建华文锦辉林位株赖天树
- 室温下GaMnAs的电子自旋偏振弛豫动力学研究
- ＜正＞稀磁半导体 GaMnAs 是一种铁磁性半导体材料,在未来的半导体自旋电子器件制造中,是一中潜在的高效率空穴自旋极化源。然而,由于其居里远低于温度,目前其铁磁性仅在低温环境下表现出来。在室温下,GaMnAs 的性质如...
- 赖天树刘晓东焦中兴王玮竹赵建华林位株
- 文献传递
- 稀磁半导体的研究进展被引量：42
- 2007年
- 本文主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其它稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。
- 赵建华邓加军郑厚植
- 关键词：半导体自旋电子学稀磁半导体自旋注入
- 聚合物含量对钛酸锶钡多层膜光学性能的影响
- 钛酸锶钡（BST）是一种对环境友善的无铅型铁电氧化物。由于具有电光、声光效应以及在可见与红外光谱区高度透明和折射率随组分变化的优点,BST是制作新一代特性参数动态可调无源光子器件的理想材料。近年来由于铁电光子晶体制备技术...
- 商景林胡古今张婷谢婧褚君浩戴宁
- 关键词：铁电材料光子晶体反射谱
- 文献传递
- Fe/GaAs异质结构的分子束外延生长及磁性研究
- ＜正＞集成电子电荷和自旋自由度进行信息处理和存储能够开发出高速低功耗的新型半导体器件,在半导体中产生和注入自旋极化载流子是实现这一目标的首要问题。然而目前与现有半导体器件兼容的Ⅲ-Ⅴ稀磁性半导体材料的居里温度远低于室温,...
- 鲁军邓加军郑玉宏王玮竹赵建华
- 关键词：分子束外延生长
- 文献传递
- 锆钛酸铅多层膜的铁电和介电特性研究
- ＜正＞基于相分离原理,通过重复甩胶镀膜—热处理工艺,在导电氧化物镍酸镧涂布的硅衬底上制备了厚度为2 μm,由致密层和多孔层交替排列形成的周期性锆钛酸铅（PZT）铁电多层膜,并对多层膜的铁电和介电特性进行了研究。同生长在相...
- 胡古今商景林洪学鹍褚君浩戴宁
- 关键词：锆钛酸铅多层膜介电特性
- 文献传递
- (Ga，Mn)As平面内磁各向异性研究
- 作为重要的磁性质之一,磁各向异性强烈地影响着包含有(Ga,Mn)As 外延层的自旋电子学器件的性能。对(Ga,Mn)As 磁各向异性的完整理解有利于纳米结构自旋电子学器件的设计。本文主要研究了低温退火对(Ga,Mn)As...
- 邓加军王玮竹鲁军赵建华
- 文献传递
- 介孔TiO2-ZnO复合薄膜的制备与表征被引量：5
- 2008年
- 以三嵌段聚合物P123为模板剂,以钛酸异丙酯和二水乙酸锌为无机前驱体,利用溶胶-凝胶法和旋涂法成功地制备了不同ZnO含量的介孔TiO2-ZnO复合薄膜.在ZnO前驱体摩尔分数为0～50%范围内获得薄膜质量较高的介孔TiO2-ZnO复合薄膜.用小角XRD、扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、能谱仪（EDS）、紫外-可见吸收光谱（UV-Vis）及X射线光电子能谱（XPS）对所得的复合薄膜进行了表征和分析.EDS和XPS等研究证明介孔薄膜为TiO2和ZnO的复合体系,且ZnO前驱体含量的增加仍能保持TiO2-ZnO复合薄膜的均匀性.UV-Vis研究结果表明,介孔复合薄膜的光学带隙宽度为3.45～3.58 eV,随着ZnO含量的增加,复合薄膜的紫外吸收蓝移.
- 陶俊超孙艳徐建王虎陈鑫戴宁
- 关键词：介孔材料
- Mn掺杂GaAs薄膜的磁性质及微观结构调控
- ＜正＞自从1996年 Ohno 等人利用低温分子束外延技术首次成功制备出铁磁性稀磁半导体（Ga,Mn）As 以来, （Ga,Mn）As 已成为最为广泛研究的稀磁半导体的典范体系。磁性元素 Mn 掺入 GaAs 后替代 G...
- 王玮竹邓加军郑玉宏鲁军赵建华
- 关键词：磁性半导体磁性质微观结构
- 文献传递
- 闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和 GaAs上的分子束外延生长、结构及磁性
- 2007年
- 利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用.
- 毕京锋赵建华邓加军郑玉宏王玮竹李树深
- 关键词：半金属室温铁磁性分子束外延
