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国家自然科学基金(10404038)

作品数:2 被引量:3H指数:1
相关作者:朱美芳周玉琴刘丰珍刘金龙张群芳更多>>
相关机构:中国科学院研究生院中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇英文
  • 1篇透明导电
  • 1篇微晶硅
  • 1篇微晶硅薄膜
  • 1篇蒙特卡罗
  • 1篇蒙特卡罗方法
  • 1篇光电
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇SN
  • 1篇ITO薄膜
  • 1篇标度理论

机构

  • 2篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇刘丰珍
  • 2篇周玉琴
  • 2篇朱美芳
  • 1篇陈瑶
  • 1篇陈诺夫
  • 1篇张群芳
  • 1篇刘金龙
  • 1篇訾威

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
用标度理论和蒙特卡洛方法研究微晶硅薄膜的生长机制(英文)被引量:1
2008年
使用热丝化学气相沉积技术制备微晶硅薄膜(沉积速度为1.2nm/s),通过原子力显微镜研究了薄膜前期生长的粗糙化过程.按照标度理论获得微晶硅薄膜的生长因子为β≈0.67,粗糙度因子为α≈0.80,动力学因子为1/z=0.40.这些标度指数不能用一般的生长模型来解释.通过蒙特卡罗模拟给出与实验一致的结果.模拟表明,入射流方向、生长基元的类型和浓度、生长基元的粘滞、再发射和影蔽过程都对微晶硅薄膜的表面形貌有比较重要的影响.
訾威周玉琴刘丰珍朱美芳
关键词:微晶硅薄膜标度理论蒙特卡罗方法
掺Sn的In_2O_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响被引量:2
2007年
采用反应热蒸发法制备掺Sn的In2O3(ITO)透明导电膜,系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响.结果表明,ITO薄膜(400)取向的优先生长对其透过率影响很小,但可明显增加载流子迁移率,从而有效降低了薄膜的方块电阻.在两个相同的薄膜硅/单晶硅太阳能电池上分别沉积(222)和(400)ITO优先取向膜,光电转换效率分别为10.3%和12.9%,表明(400)取向更有利于提高电池效率.经优化,最佳衬底温度(Ts)为225℃,最佳氧流量(fO2)为4sccm.在优化的沉积条件下制备ITO薄膜,其电阻率可达到4.8×10-4Ω.cm,可见波段的透过率大于90%,性能指数为3.8×10-2□/Ω.
陈瑶周玉琴张群芳朱美芳刘丰珍刘金龙陈诺夫
关键词:ITO薄膜
共1页<1>
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