国家重点基础研究发展计划(G2001CB3095)
- 作品数：28 被引量：143H指数：7
- 相关作者：王太宏蒋最敏张志勇孙劲鹏方泽波更多>>
- 相关机构：中国科学院复旦大学南京工业大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金上海市科委重大科技攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱被引量：2
- 2005年
- 在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明失配应变与弹性系数随压力的变化是大量子点压力系数小的主要原因之一.压力实验结果还表明大量子点的第一激发态发光峰来源于电子的第一激发态到空穴的第一激发态的跃迁.
- 马宝珊王晓东骆军委苏付海方再利丁琨牛智川李国华
- 关键词：凝聚态物理学光致发光砷化铟量子点
- RF SET超灵敏静电计
- 2003年
- 单电子晶体管 (SET)作为灵敏静电计的灵敏度受到噪声的限制 ,其中散粒噪声 (shotnoise)是本征噪声 ,决定着单电子晶体管灵敏度的极限 .利用射频 (radiofrequency ,RF)单电子晶体管的极高的工作频率 ,可以消除SET的 1/f噪声 ,从而达到极限灵敏度 .利用一级低温低噪声放大器和一级室温放大器放大工作在反射模式的射频单电子晶体管的输出信号 ,使用LC共振电路 ,抬高了SET右边的整个微波系统的阻抗 ,使之与单电子的输出阻抗匹配 ,从而提高了RFSET静电计的灵敏度 .
- 张志勇王太宏
- 关键词：灵敏度散粒噪声库仑阻塞电测量
- 单电子晶体管-金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件被引量：7
- 2003年
- 传统的共振隧穿二极管的多峰值负微分电阻器件的峰值数目受到限制 ,由单电子器件和传统的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)器件组成的多峰值负微分电阻器件在原理上具有无穷多个峰值 ,并且MOSFET使单电子晶体管 (SET)的峰值和谷值电流大小受其源漏电压的影响减小 .利用这种多峰值负微分电阻器件实现了多值存储器 ,该存储器原理上是无穷多值的 .并且利用它的折叠的I V特性 ,实现了一个 4位的FlashA D转换器 ,与传统的FlashA D转换器相比 ,SET MOSFET的A D转换器大大地简化了电路 .
- 张志勇王太宏
- 关键词：单电子晶体管金属氧化物半导体场效应晶体管模数转换器
- 碳纳米管晶体管被引量：1
- 2002年
- 随着传统的硅材料加工技术发展到极限,寻找替代硅的材料已迫在眉睫。碳纳米管因其优良的性能将成为替代硅的理想材料。本文介绍了以碳纳米管为基础的场效应晶体管的工作原理以及独特性能。与传统的金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管相比,由于碳纳米管具有单分子、准一维、高电流密度等优良特性,所以碳纳米管晶体管将很容易突破传统硅场效应晶体管的物理极限,并且在继续减小器件尺寸、解决耗能和散热问题方面具有优势。
- 何尧王太宏
- 关键词：碳纳米管晶体管MOS场效应晶体管单壁碳纳米管逻辑电路
- 用散粒噪声测量碳纳米管中Luttinger参数被引量：7
- 2004年
- 将碳纳米管的载流子输运用基本电荷为ge的Fermi液态模型描述 ,利用散射理论计算出纳米管中的零频率散粒噪声 ,在绝对零度下 ,存在一个强势垒的碳纳米管的散粒噪声为 2geI.提出了一种测试纳米管Luttinger参数的新方法 :在纳米管上形成一个强势垒 ,通过测试其散粒噪声 。
- 张志勇王太宏
- 关键词：碳纳米管散粒噪声散射理论载流子输运势垒
- 温度对CdS纳米颗粒形状和光致发光特性的影响
- 2007年
- 采用反胶束法,在常温和低温下(接近零度)合成了硅土包裹的CdS纳米颗粒.高分辨电镜表明常温下合成的颗粒呈现直径小于5 nm的球形,而在低温下出现了短棒形和长达微米量级的线形.通过对实验过程的分析表明:不仅合成CdS纳米颗粒溶液的浓度,而且温度对CdS纳米颗粒的形状产生了重要的影响.进一步研究了CdS纳米颗粒的光致发光特性.
- 薛洪涛赵普琴
- 关键词：温度光致发光
- 掺杂Mn^(2+)的浓度对CdS纳米颗粒光致发光的影响(英文)被引量：3
- 2006年
- 采用反胶束法,合成了硅土包裹的掺有不同浓度的Mn2+的CdS纳米颗粒.高分辨电镜表明这些颗粒的直径小于5 nm.仅仅改变Mn2+的掺杂浓度,研究了这些颗粒的光致发光谱和光致发光激发谱,结果表明:Mn2+浓度的大小对掺杂CdS纳米颗粒的发光产生了重要的影响.通过电子顺磁共振谱的测量和分析揭露了Mn2+浓度影响这些掺杂颗粒发光效率的原因.
- 赵普琴
- 关键词：光致发光
- Er_2O_3薄膜的电学性质研究被引量：1
- 2005年
- Er2O3是一种很有希望的高κ材料。在氧气氛下热蒸发金属铒源,制备了Er2O3的薄膜,随后在氧气氛下对它进行了退火。通过对其C-V及I-V特性的测试,认为该材料的电学特性优秀,应该进行进一步的研究。
- 陈圣徐润朱燕艳方泽波薛菲樊永良蒋最敏
- 单电子晶体管的制备、集成与电路研究被引量：6
- 2002年
- 我们制备出了高温Si单电子晶体管,研究了单电子晶体管的集成原理,实现了14个单电子晶体管的串联集成和2个单电子晶体管的并联集成。同时也研究了单电子晶体管与传统高迁移率晶体管的集成方法和技术,发现可用单个电子来调控传统晶体管的栅对源漏极电流的控制能力(跨导),利用单电子晶体管的集成方法,建立了对电荷超敏惑的探测技术(包括超敏感的库仑计),实现了单电子存储器中的单电子过程的探测,并设计了一种新型的多值存储器。
- 王太宏
- 关键词：单电子晶体管单电子存储器晶体管电路
- 锗硅双层量子点的光电流特性被引量：1
- 2002年
- 在分子束外延 (MBE)系统上用自组织方式生长了硅基双层锗量子点结构 ,并对样品进行光电流谱的测试。通过调节不同外加偏压来改变量子点中的费米能级位置 ,量子点中载流子所处束缚能级将随之发生变化 ,所得到的光电流谱的峰位也将因此而改变。由光电流谱得到的实验结果与常规的光致发光谱的结果相吻合。与单层锗量子点结构相比 ,双层结构的样品在光电特性上有着明显不同 :光电流谱中 ,在 0 .767e V及 0 .869e V处出现了两个峰 ,分别对应于载流子在不同的量子点层中的吸收。
- 周浩蒋最敏陆昉
- 关键词：光电流光致发光谱分子束外延
