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北京市教委科技发展计划(KM200710017009)

作品数：1 被引量：8H指数：1
相关作者：李东临武光明江伟邢光建王怡更多>>
相关机构：北京石油化工学院北京化工大学更多>>
发文基金：北京市教委科技发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电特性
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇探测器
  • 1篇紫外探测
  • 1篇紫外探测器
  • 1篇溅射
  • 1篇光电
  • 1篇光电特性
  • 1篇光响应
  • 1篇MSM紫外探...
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 1篇北京化工大学
  • 1篇北京石油化工...

作者

  • 1篇王怡
  • 1篇邢光建
  • 1篇江伟
  • 1篇武光明
  • 1篇李东临

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
TiO_2/ZnO薄膜紫外探测器的光电特性被引量：8
2009年
采用射频磁控溅射的方法制备了TiO2/ZnO复合薄膜,用XRD、SEM和UV-Vis分别表征TiO2/ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱。并用此材料制备了Au/TiO2/ZnO/Au结构MSM光电导型薄膜紫外光探测器,研究其光电特性。实验结果表明,TiO2/ZnO紫外探测器在5 V偏压360 nm紫外光照下光电流约为500μA,其响应度为100 A/W,平均暗电流约为0.5μA;由于TiO2/ZnO复合薄膜之间的费米能级不同而形成的内建电场作用,减少了产生的光生电子与空穴的复合,得到较强的光电流,且其光响应的上升弛豫时间约为22 s,下降响应时间约为80 s;响应时间较长是由于广泛分布于薄膜中的缺陷而造成的。结果表明TiO2/ZnO可作为一种良好的紫外探测材料。
王怡江伟邢光建武光明李东临
关键词：射频磁控溅射MSM紫外探测器光响应
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