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吉林省科技厅基础研究项目(20040537-1)

作品数：1 被引量：8H指数：1
相关作者：张晶薄报学王玉霞李辉高欣更多>>
相关机构：长春理工大学更多>>
发文基金：吉林省科技厅基础研究项目高功率半导体激光国家重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇量子
  • 1篇量子光学
  • 1篇宽光谱
  • 1篇功率
  • 1篇光谱
  • 1篇光腔
  • 1篇光学
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇辐射发光
  • 1篇超辐射
  • 1篇超辐射发光二...
  • 1篇大光腔
  • 1篇高功率

机构

  • 1篇长春理工大学

作者

  • 1篇刘国军
  • 1篇李梅
  • 1篇曲轶
  • 1篇高欣
  • 1篇李辉
  • 1篇王玉霞
  • 1篇薄报学
  • 1篇张晶

传媒

  • 1篇中国激光

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高功率850nm宽光谱大光腔超辐射发光二极管被引量：8
2006年
超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为提高半导体超辐射发光管的光谱宽度,采用非均匀阱宽多量子阱(MQW)材料拓宽超辐射器件的输出光谱。优化设计器件的波导结构,利用大光腔结构设计出高功率、低发散角850 nm超辐射发光二极管。采用直波导吸收区而后在器件的出光腔面上镀制抗反射膜的方法制作超辐射发光二极管。器件在140 mA时器件半峰全宽(FWHM)可以达到26 nm,室温下连续输出功率达到7 mW。器件的垂直发散角为28°,水平发散角为10°。由于器件具有比较小的发散角,与光纤耦合时具有比较高的耦合效率,单模保偏光纤耦合输出功率达到1.5 mW。
李辉王玉霞李梅张晶曲轶高欣薄报学刘国军
关键词：量子光学超辐射发光二极管
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