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北京市自然科学基金(2992019)

作品数：15 被引量：40H指数：4
相关作者：吴锦雷薛增泉刘惟敏许北雪张琦锋更多>>
相关机构：北京大学云南师范大学更多>>
发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 15篇中文期刊文章

领域

  • 12篇理学
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 8篇纳米
  • 5篇稀土
  • 5篇AG
  • 4篇银纳米粒子
  • 4篇镧
  • 3篇电场
  • 3篇电场作用
  • 3篇真空沉积
  • 3篇粒度
  • 3篇金属
  • 3篇光吸收
  • 3篇银
  • 2篇导体
  • 2篇氧化钡
  • 2篇杂质能级
  • 2篇真空蒸发沉积
  • 2篇稀土元素
  • 2篇稀土镧
  • 2篇金属纳米
  • 2篇金属纳米粒子

机构

  • 15篇北京大学
  • 1篇云南师范大学

作者

  • 15篇吴锦雷
  • 9篇许北雪
  • 9篇刘惟敏
  • 9篇薛增泉
  • 8篇张琦锋
  • 5篇刘盛
  • 5篇吴全德
  • 4篇邵庆益
  • 3篇侯士敏
  • 2篇张耿民
  • 2篇杨海
  • 1篇张西尧
  • 1篇郭等柱
  • 1篇候士敏
  • 1篇张兆祥

传媒

  • 6篇物理学报
  • 2篇北京大学学报...
  • 2篇物理化学学报
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇Journa...
  • 1篇发光学报
  • 1篇贵金属

年份

  • 2篇2003
  • 5篇2002
  • 5篇2001
  • 3篇2000
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Ag-BaO复合薄膜光吸收谱中的双峰结构被引量：2
2001年
经超额Ba激活的Ag BaO复合薄膜光吸收谱显示 ,该薄膜样品在可见 近红外光波段存在 2个吸收峰。理论分析表明 ,位于可见光区的主吸收峰源于埋藏在BaO半导体中的Ag纳米粒子的表面等离子激元共振吸收 ;而位于近红外光区的次吸收峰则是由BaO半导体基质中杂质能级的光吸收引起的。杂质能级的产生与超额Ba在BaO晶体中造成的氧缺位有关。
张琦锋候士敏张耿民刘惟敏薛增泉吴锦雷
关键词：金属纳米粒子表面等离子激元杂质能级光吸收谱AGBAO
Ag-Nd_2O_3复合介质薄膜的光吸收特性研究被引量：3
2002年
在真空中用蒸发沉积的方法制备了埋藏有金属Ag纳米微粒的稀土氧化物复合介质薄膜Ag Nd2 O3 。通过对这种薄膜的透射电子显微镜观察和光吸收实验研究 ,发现在相同Nd2 O3 的薄膜上沉积数量和大小不同的Ag纳米粒子 ,Ag Nd2 O3 复合介质薄膜的光吸收特性随Ag粒子尺寸和体积分数的增大 ,吸收峰向长波方向移动。而且在光波长 310～ 12 0 0nm区域内 ,吸收比随Ag粒子尺寸和体积分数的增加而增加。分析表明Nd2 O3 与Ag粒子之间的相互作用是影响吸收峰位置和吸收比大小的主要原因 。
刘盛张琦锋许北雪吴锦雷
关键词：银纳米微粒氧化钕光吸收
Ag-BaO薄膜内场助光电发射增强现象研究被引量：1
2000年
通过在Ag BaO薄膜表面真空沉积 10nm厚的银电极 ,成功制备了内场助结构Ag BaO光电阴极 .测试结果显示 ,Ag BaO薄膜光电发射电流随内场助偏压的增大而上升 .理论分析表明 ,Ag BaO薄膜内场助光电发射增强现象产生的机理在于内场助作用下Ag微粒和BaO介质间等效界面位垒的减小及薄膜表面真空能级的相对下降 .
张琦锋北京大学电子学系吴锦雷
BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下的近紫外光吸收增强现象研究被引量：1
2000年
通过对真空蒸发沉积制备的BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下光吸收特性的测试 ,实验上观察到BaO薄膜在近紫外波段的光吸收随电场强度的增加而明显增强 .理论分析表明 ,BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下发生能带倾斜 ,价带电子隧穿带间位垒而在带隙中出现的概率增加 ,近紫外波段光吸收增强是光子协助隧道穿越的结果 .不同能量光子激发下电场作用引起的BaO薄膜光吸收增强现象是夫兰茨 凯尔迪什 (Franz Keldysh)效应和斯塔克 (Stark)
张琦锋侯士敏邵庆益刘盛刘惟敏薛增泉吴锦雷
关键词：半导体薄膜氧化钡
稀土对金属纳米粒子-介质复合薄膜(Ag-BaO)光电发射性能的增强被引量：6
2001年
用真空蒸发沉积的方法制备了掺杂稀土的金属纳米粒子 介质复合薄膜 (Ag BaO薄膜 ) .与不掺杂稀土的Ag BaO薄膜相比 ,其光电发射能力提高了近 40 % .透射电镜分析表明 ,掺杂稀土后 ,Ag BaO薄膜中的Ag纳米粒子明显细化、球化、密度增大 .这表明Ag纳米粒子的细化 ,使得其在光作用下 ,光电子更容易通过隧道效应穿过界面位垒逸出 。
许北雪吴锦雷刘惟敏杨海邵庆益刘盛薛增泉吴全德
关键词：光电发射稀土真空蒸发沉积
稀土镧对薄膜中银纳米粒子的细化作用被引量：1
2002年
通过更换基底材料 ,证实了稀土镧对Ag BaO薄膜中银纳米粒子的细化作用 .用Lewis Campbell的薄膜理论分析表明 ,稀土镧对银纳米粒子的细化作用机理是 ,基底吸附稀土镧增强了基底对银原子的等效吸附能和基底表面徙动激活能 ,使镧和银结合形成的复合小银粒子在基底表面的徙动扩散运动受到削弱 ,进而减少了相互团聚所致 .基底表面徙动激活能增量在 0 .0 4— 0 .0 7eV之间 ,相应的基底对银原子的等效吸附能增量在 0 .0 8— 0 .
许北雪吴锦雷邵庆益张兆祥刘惟敏薛增泉吴全德
关键词：稀土粒度镧银纳米粒子
内场助结构Ag-O-Cs光电发射薄膜真空制备研究
2001年
通过掩膜预处理和挡板转移技术的配合 ,利用真空沉积方法首次制备了内场助结构Ag O Cs光电发射薄膜。Ag O Cs薄膜内场助光电发射特性测试结果表明 ,该方法能够有效地实现Ag O Cs薄膜体内电场的加载与表面电极的引出 ,薄膜光电灵敏度随内场偏压的增大而上升。Ag O Cs薄膜在内场作用下的光电发射增强现象与薄膜体内能带结构变化。
张琦锋刘惟敏薛增泉吴锦雷
关键词：真空沉积
Ag-BaO薄膜在电场作用下的可见——近红外波段光学吸收特性被引量：5
2001年
对超额Ba激活的Ag BaO复合薄膜在外加垂直表面电场作用下的光学吸收特性进行了测量 .结果显示 ,薄膜在可见—近红外光波段存在两个吸收峰 ,其中近红外光区的吸收峰强度随垂直表面电场的作用而降低 .理论分析表明 ,可见光区的主吸收峰源于埋藏在BaO半导体中的Ag超微粒子的表面等离激元共振吸收 ;近红外光区的次吸收峰则由BaO半导体基质中杂质能级的光吸收引起 ,杂质能级的产生与超额Ba在BaO晶体中造成的氧缺位有关 .在外加垂直表面电场作用下 ,BaO基质中的杂质发生电离 ,并导致杂质能级上束缚电子浓度减小 。
张琦锋侯士敏张耿民刘惟敏薛增泉吴锦雷
关键词：光吸收表面等离激元杂质能级
镧与真空沉积银纳米粒子的金属间化合被引量：4
2002年
根据Hume Rothery规则 ,分析了银与镧两元素之间形成金属间化合物的倾向性 ,并根据真空蒸发沉积的条件 ,分析了在真空蒸发沉积情况下镧与银之间形成金属间化合物的可能性 .用X射线光电子能谱化学位移方法对真空蒸发沉积的银、镧薄膜进行了分析 ,结果表明在真空沉积条件下镧与银之间的确形成了金属间化合物 .
许北雪吴锦雷侯士敏张西尧刘惟敏薛增泉吴全德
关键词：真空沉积金属间化合物镧银合金材料
入射光强对Ag-BaO薄膜内场助光电发射特性的影响被引量：3
2000年
通过对不同光强入射下 Ag- Ba O薄膜内场助光电发射特性的测试 ,实验发现 Ag- Ba O薄膜内场助光电发射电流随内场助偏压的增长过程经历了快速增长和缓慢增加两个阶段 ,相应的转折电压大小与入射光强有关 .理论分析表明 ,内场助作用下 Ag- Ba O薄膜体内能带结构发生了 Ag微粒和 Ba O介质间等效界面势垒减小及薄膜表面真空能级相对下降等两个方面的变化 ,其在内场助作用过程中相对效果的不同导致了光电流增长过程中的两个阶段 ;
张琦锋吴锦雷
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