国家高技术研究发展计划(2009AA03Z322)
- 作品数：6 被引量：31H指数：3
- 相关作者：邓元王瑶李茂张传玲张晓军更多>>
- 相关机构：北京航空航天大学中国矿业大学宁波工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>
- 高性能BaTiO_3/PVDF介电复合材料及其薄膜电容器应用被引量：18
- 2012年
- 选用柔性高分子材料聚偏氟乙烯(PVDF)作为基体,纳米钛酸钡陶瓷(BaTiO3)作为填充相,采用简单的溶液共混以及流延工艺制备BaTiO3/PVDF薄膜。通过SEM观察了复合材料体系的微观结构,研究了BaTiO3/PVDF介电复合材料的介电性能。把所制备的BaTiO3/PVDF复合材料薄膜(70mm×30mm×25μm,电极面积:600mm2)加工成卷绕式薄膜电容器,研究了该电容器的电容、损耗、击穿电压以及温度稳定性等性能。结果表明,BaTiO3/PVDF复合材料具有良好的介电性能,其薄膜电容器性能优异,电容值为3.34nF,损耗低于0.03,在测试频率范围内保持稳定,击穿电压达到1.3kV,并且在100℃以内能保持良好的电容性能。
- 党宇王瑶邓元张烨张传玲李茂
- 关键词：复合材料BATIO3薄膜电容器电容
- 添加Ge的In_(10)Sb_(10)Ge三元合金热电性能(英文)
- 2010年
- InSb单晶材料具有相当高的载流子迁移率,因而有良好的电学性能。本文采用缓慢凝固技术制备出In-Sb-Ge三元合金,并在320K到706K的温度范围内测量其热电性能。显微结构观察表明,In-Sb-Ge三元合金的微观组织由嵌入含锗相的锑化铟相组成,这一结果与X射线衍射分析的结果相符。性能测试表明,其晶格热导率在整个温度范围内都非常低,尤其在低温下更低,而载流子热导率随温度的升高,从6.3(W.m-1.K-1)降低到2.4(W.m-1.K-1),在热传输过程中起主要作用。在708K时In10Sb10Ge合金的最高ZT值为0.18。
- 颜艳明应鹏展崔教林付红张晓军
- 关键词：热电性能放电等离子烧结
- Al片/PVDF介电复合材料的制备及性能被引量：7
- 2012年
- 以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体,选用普通工业铝粉为填充组分,选用乙醇为溶剂,采用一种简单球磨工艺制备Al片/PVDF介电复合材料,研究了不同含量的铝粉对复合材料的介电性能的影响。利用SEM分析了复合材料的微观形貌,并用EDS对微观区域进行元素分析。研究结果表明,铝片的加入不仅大大提高了复合材料的介电常数,降低了介电损耗,而且还具有较高的击穿性能,满足电子工业领域的要求。
- 张传玲王瑶邓元李茂
- 关键词：介电常数介电损耗
- 共掺杂Cu,Te后禁带宽度变窄对In_2Se_3基半导体热电性能的影响被引量：1
- 2012年
- α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料。但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32eV减小到1.14eV。掺杂后电学性能得到了大幅度的改善。最大功率因子由0.7610-4增大到2.810-4W·m-1·K-2;最大热电优值(ZT)从本征态时的0.25提高到0.63。高分辨电镜(HRTEM)观察结果表明,在未掺杂时,α-In2Se3呈现非晶状组织,共掺杂Cu,Te后,微结构则转变成明显的多晶组织。在温度高于500K时,掺杂后晶格热导率的适量提高与该微结构转变有直接联系。
- 崔教林张晓军李奕沄高榆岚
- 关键词：热电性能
- 钙钛矿型Pb基反铁电储能材料研究进展被引量：3
- 2011年
- 反铁电材料在发生场致反铁电-铁电相变过程中伴随着巨大应变和能量的储存和释放,故在高密度储能器件和机电换能器上极具应用潜力。综述了具有钙钛矿结构的Pb基反铁电体结构特点与性能调控,特别是Pb(Zr,Ti)O3(PZT)基反铁电储能材料的研究进展与存在问题。重点讨论了几类典型元素掺杂Pb基反铁电薄膜材料研究的最新进展。简要介绍了适应无铅化要求、环境友好的无铅钙钛矿型反铁电-铁电相变材料。最后对当前钙钛矿型Pb基反铁电材料研究与应用中尚需深入探究的问题进行了总结。
- 王瑶邓元
- 关键词：反铁电材料钙钛矿储能相变
