国家自然科学基金(50272081)
- 作品数：4 被引量：9H指数：1
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- InGaN/GaN量子阱结构的应变状态与微结构、物理性能关系的研究被引量：1
- 2005年
- 应变普遍存在于失配系统中,包括晶格、热膨胀系数以及扩散系数等失配,其状态即应变是否弛豫及弛豫程度与物理性能密切相关。量子阱或超晶格的晶格应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题,虽然从理论上已提出了多种计算模型,但不同的模型所计算出的结果差别很大,且不同的模型所使用的范围尚不确定。这就激发了从实验上予以研究的要求。另外,含N的III V族究竟适用何种模型尚无定论,且对其弛豫行为以及对性能的影响缺乏细致的研究。本文应用高分辨X射线衍射和透射电子显微技术研究了InGaN GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响。得出InGaN GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度更适合基于介稳外延半导体结构应变弛豫的Fischer模型;失配位错为纯刃型位错,可通过滑移面的改变而形成穿透位错;弛豫发生后,非常明显地影响发光性能,尤其是室温下的发光性能。
- 李超荣吕威张泽
- 关键词：INGAN/GAN量子阱结构失配发光性能弛豫超晶格
- 不同生长条件下Ag/SiOx纳米结构形态的演变
- ＜正＞纳米材料因为其潜在的优异性能引起了研究者们极大的兴趣,同时小尺度下的纳米结构也向人们呈现了丰富而美丽的形态。人们还不完全了解这些形态背后的物理机制,研究纳米结构形态之间的演变可以对物理机制的理解提供实验证据,从而更...
- 张晓娜张泽
- 关键词：纳米材料自组装AG2OSIO
- 文献传递
- 不同生长条件下Ag/SiO_x纳米结构形态的演变
- 2006年
- 张晓娜张泽
- 关键词：纳米材料SIOXAG物理机制
- InGaN/GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响
- 2004年
- 李超荣吕威张泽
- 关键词：超晶格结构应变弛豫透射电子显微镜X射线衍射
- InGaN/GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响
- ＜正＞ 量子阱或超品格的应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题,虽然从理论上已提出了多种计算模型,但不同的模型所计算出的结果差别很大,且不同的模型所使用的范围尚不确定,因此激发了从实验上予以研究的...
- 李超荣吕威张泽
- 文献传递
- 非晶SiO_2纳米线的合成及其显微结构和光学性质的研究被引量：8
- 2008年
- 本研究以硅片为衬底,热蒸发一氧化硅粉末在较低温度下合成了大量直径均匀的非晶SiO2纳米线。这些纳米线直径分布在15nm^40nm之间,长度几十微米。选区电子衍射(SAED)、能谱(EDS)、电子能量损失谱(EELS)分析结果表明这些纳米线为非晶SiO2纳米线。光致发光(PL)谱测试结果显示纳米线在波长550nm处存在一个较强的PL峰。本文进一步指出了蒸发源SiO粉末的颗粒度和蒸发温度对纳米线生长有强烈的影响。
- 秦艳张晓娜郑坤韩晓东张泽
- 关键词：热蒸发
