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浙江省自然科学基金(M503183)

作品数：4 被引量：13H指数：3
相关作者：朱丽萍叶志镇赵炳辉曹亮亮张阳更多>>
相关机构：浙江大学更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信理学交通运输工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇应力
  • 1篇失配
  • 1篇室温
  • 1篇位错
  • 1篇温下
  • 1篇脉冲激光沉积...
  • 1篇缓冲层
  • 1篇光电
  • 1篇光电集成
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇硅衬底
  • 1篇硅基
  • 1篇硅基GAN
  • 1篇发光
  • 1篇SIO2/S...
  • 1篇SI衬底

机构

  • 4篇浙江大学

作者

  • 4篇叶志镇
  • 4篇朱丽萍
  • 3篇赵炳辉
  • 2篇张银珠
  • 2篇张阳
  • 2篇曹亮亮
  • 2篇唐海平
  • 1篇诸葛飞
  • 1篇赵浙
  • 1篇倪贤锋
  • 1篇徐伟中
  • 1篇王敬蕊
  • 1篇洪炜

传媒

  • 3篇真空科学与技...
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2006
  • 3篇2005
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展被引量：1
2006年
AlN作为中间层可以有效提高硅基GaN的晶体质量。本文对于AlN作为形核层和插入层提高GaN晶体质量的机理进行分析和总结,并给出AlN的最佳生长条件。
王敬蕊叶志镇赵炳辉朱丽萍唐海平
关键词：ALN应力位错
SiO_2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征被引量：4
2005年
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能。
曹亮亮叶志镇张阳朱丽萍张银珠徐伟中赵炳辉
关键词：ZNO薄膜SIO2/SI脉冲激光沉积光致发光
硅衬底GaN基LED研究进展被引量：4
2005年
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,GaN/Si 基器件成为一个研究热点。然而,GaN 与 Si 之间的热失配容易引起薄膜开裂,这是限制 LED 及其它电子器件结构生长的一个关键问题。近年来,随着工艺的发展,GaN 晶体质量得到大幅度的提高。同时不少研究小组成功地在Si 衬底上制造出 LED。介绍了 GaN 薄膜开裂问题及近期硅衬底 GaN 基 LED 的研究进展。
洪炜朱丽萍叶志镇唐海平倪贤锋赵浙
关键词：硅衬底光电集成GAN薄膜SI衬底失配
脉冲激光沉积法室温下ZnO薄膜的制备与表征被引量：4
2005年
在室温条件下,采用脉冲激光沉积技术在玻璃衬底上生长了ZnO薄膜。对薄膜的XRD分析表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构并沿c轴取向生长,且(002)衍射峰的半高峰宽仅为0.24°。薄膜沿c轴方向受到一定的张应力为1.7×108N/m2。原子力显微镜分析表明薄膜表面较为平整,平均粗糙度约为6.5 nm,晶粒尺寸约为50 nm。此外,透射光谱分析表明薄膜的禁带宽度为3.25 eV,与ZnO体材料的禁带宽度3.30 eV基本相同。
曹亮亮叶志镇张阳朱丽萍张银珠诸葛飞赵炳辉
关键词：ZNO薄膜C轴取向室温脉冲激光沉积
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