国家科技重大专项(2013ZX02104001)
- 作品数：3 被引量：10H指数：2
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- 掺杂CeO2对流延成型制备的氮化铝陶瓷性能的影响被引量：2
- 2019年
- 以氮化铝(AlN)粉末为原料,掺杂10%~15%的CeO2,采用流延成型工艺制备AlN陶瓷生坯;排胶后在氮气气氛下1775℃保温4h,采用常压烧结制备静电卡盘用AlN陶瓷(体积电阻率为10^11~10^9Ω·cm)。研究了排胶升温速率对生坯的表面形貌以及CeO2掺杂量对烧结体的电学与热学性能、微观组织和物相组成的影响。结果表明:在200~450℃之间升温速率为0.2℃·min^-1的条件下排胶后,AlN陶瓷生坯形貌完整、无裂纹和翘曲;在CeO2掺杂量为14%时,AlN陶瓷烧结体可以获得较优的综合性能,致密度96.82%,热导率99W·m^-1·K^-1,体积电阻率4.75×10^10Ω·cm。显微结构分析表明,随着CeO2掺杂量的增加,形成的铈铝酸盐晶间相逐渐由点状分布变为连续分布,有利于导电通路的形成,从而降低AlN陶瓷烧结体体积电阻率。
- 桂如峰邹阳李晨辉刘江安贺智勇史玉升
- 关键词：氧化铈流延成型体积电阻率
- TiN/AlN复合陶瓷的电性能被引量：5
- 2014年
- 以AlN粉为原料,TiN粉为调节剂,添加稀土金属(Sm2O3,Y2O3,)烧结助剂在N2气氛下,采用放电等离子烧结技术在1 700℃,25 MPa下保温10 min制备了相对密度高于98%的AlN陶瓷。引入导电相TiN对AlN陶瓷电性能进行改性,AlN复合陶瓷的相对密度随着TiN含量的增加而有所下降,电阻率出现明显的导电渗流现象,渗流阀值出现在质量分数为26%左右。通过X射线衍射、扫描电镜和X射线光电子能谱分析可知:AlN烧结体含有主晶相AlN、第二相稀土金属铝酸盐和间隙相TiN,一般认为,低熔点的稀土金属铝酸盐促进了AlN陶瓷的烧结致密化,导电相TiN提供了导电的自由电子致使陶瓷体的电性能降低。
- 朱江李晨辉刘凯史玉升贺智勇张启福
- 关键词：氮化铝陶瓷氮化钛体积电阻率
- 稀土氧化物对SPS烧结AlN陶瓷电性能的影响被引量：6
- 2015年
- 以AlN粉末为原料,添加稀土氧化物(Sm2O3、Y2O3),在氮气气氛下,采用SPS烧结方法制备AlN陶瓷,研究稀土氧化物的掺杂对AlN烧结试样相组成、微观结构和电性能的影响。实验表明:Sm2O3、Y2O3与Al2O3反应生成的液相稀土金属铝酸盐会提高AlN陶瓷致密度,且在晶界处形成导电通路降低了AlN陶瓷电阻率。随着Sm2O3掺杂量的增加,晶界相逐渐由Sm4Al2O9过渡到SmAlO3,且Sm4Al2O9对电阻率贡献最大。其中,3wt%Sm2O3掺杂AlN陶瓷电阻率最低,为1.32×1010Ω·cm,相对密度为99.33%。Y2O3掺杂量的增加会使晶界处钇铝酸盐由富铝酸盐向富钇酸盐转变,三者电阻率相差较小,Y2O3含量高于3wt%的AlN陶瓷电阻率维持在1×1010Ω·cm左右,其中4wt%Y2O3掺杂AlN相对密度最高为99.08%。
- 黄林芸李晨辉柯文明史玉升贺智勇张启富
- 关键词：氮化铝氧化钐氧化钇放电等离子烧结
