广西千亿元产业重大科技攻关工程项目(11107001-20)
- 作品数:2 被引量:1H指数:1
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- 发文基金:广西千亿元产业重大科技攻关工程项目广西壮族自治区自然科学基金更多>>
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- 薄型双漂移区高压器件新结构的耐压分析
- 2012年
- 提出与CMOS工艺兼容的薄型双漂移区(TD)高压器件新结构.通过表面注入掺杂浓度较高的N-薄层,形成不同电阻率的双漂移区结构,改变漂移区电流线分布,降低导通电阻;沟道区下方采用P离子注入埋层来减小沟道区等位线曲率,在表面引入新的电场峰,改善横向表面电场分布,提高器件击穿电压.结果表明:TD LDMOS较常规结构击穿电压提高16%,导通电阻下降31%.
- 李琦王卫东赵秋明晋良念
- 关键词:调制击穿电压导通电阻
- 埋层低掺杂漏SOI高压器件的击穿电压被引量:1
- 2011年
- 提出一种具有埋层低掺杂漏(BLD)SOI高压器件新结构。其机理是埋层附加电场调制耐压层电场,使漂移区电荷共享效应增强,降低沟道边缘电场,在漂移区中部产生新的电场峰。埋层电中性作用增加漂移区优化掺杂浓度,导通电阻降低;低掺杂漏区在漏极附近形成缓冲层,改善漏极击穿特性。借助二维半导体仿真器MEDICI,研究漂移区浓度和厚度对击穿电压的影响,获得改善击穿电压和导通电阻折中关系的途径。在器件参数优化理论的指导下,成功研制了700V的SOI高压器件。结果表明:BLD SOI结构击穿电压由均匀漂移区器件的204V提高到275V,比导通电阻下降25%。
- 李琦王卫东张杨赵秋明
- 关键词:埋层击穿电压调制导通电阻