博士科研启动基金(XBS1043)
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- 掺杂Fe的SnO_2超晶格材料的电子结构和光学性质
- 2014年
- 采用全电势线性缀加平面波(FP-LAPW)方法,计算一层与两层Fe原子替代Sn原子的超晶格SnO2的电子态密度和各项光学参数。计算结果表明:掺Fe后材料均属于直接跃迁半导体,且呈现半金属性;随着掺杂层数的增加,费米能级进入价带,带隙逐渐减小,Fe原子之间耦合作用增强;吸收谱、消光系数等均与介电函数虚部谱线相对应,且均发生红移,吸收系数的吸收边随掺杂层数的增多而逐渐减小,各光学谱线随掺杂层数的增多在高能区的峰值明显降低。
- 王喆逯瑶王培吉
- 关键词：超晶格态密度光学性质
- Sn_(1-x)N_xO_2材料的电子结构和光学性质
- 2011年
- 采用第一性原理,以W IEN2K软件为平台对Sn1-xNxO2超晶胞体系的态密度(DOS)、能带结构、介电函数和吸收系数进行模拟计算,从理论上指出光学特性与电子结构之间的内在联系。分析结果表明:掺入杂质后体系带隙减小了0.59eV,费米能级向低能方向移动进入价带,并且由半导体变为半金属材料,N的掺入有助于p型SnO2的实现;掺杂前后体系为直接跃迁半导体,其介电函数谱和吸收谱与带隙相对应均发生了红移,并且光学吸收边变宽,增大了光学响应,Sn1-xNxO2材料可广泛应用于红外发光器件。
- 张国莲王培吉张昌文
- 关键词：光电性质第一性原理
