湖南省教育厅科研基金(09C321)
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
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- 薄膜厚度对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响被引量：1
- 2011年
- 采用直流磁控溅射技术,以氧化锌铝陶瓷靶为靶材,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜样品。在其他参数不变的情况下,由不同溅射时间得到了不同厚度的薄膜,研究了薄膜的结构性质、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。实验结果表明:在薄膜厚度为500 nm时,ZAO薄膜具有最优化的光电性能,电阻率为1.68×10-3Ω.cm,可见光区平均透射率为90.3%。
- 李雪勇严钦云崔丽玲
- 关键词：ZAO薄膜薄膜厚度电学性能光学性能
- 退火温度对Al掺杂ZnO薄膜结构和性能的影响被引量：2
- 2011年
- 采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜样品。其他参数不变,在不同的温度下对样品进行了退火处理,研究了薄膜的结构性质、电学和光学性质随退火温度的变化关系。实验结果表明:在退火温度为200℃时,ZAO薄膜具有较优的光电性能,其电阻率为9.62×10-5.cm,可见光区平均透射率为89.2%。
- 李雪勇崔丽玲严钦云
- 关键词：ZAO薄膜退火温度电学性能光学性能
- 不同填充率时三组元声子晶体缺陷态
- 2011年
- 运用基于平面波的超元胞方法,研究作为缺陷引入第三组元材料(四氯化碳)对二维二组元声子晶体(水/水银)带结构的影响。结果表明:当缺陷柱填充率发生变化时,原带隙的位置、宽度变化不大;缺陷带频率主要受第三组元材料物性参数的影响;当正常插入体填充率发生变化时,原带隙的位置、宽度都发生了改变,同时也影响缺陷带的出现,且这些缺陷态都是局域化的。因此,在具有宽带隙的二组元体系中引入适当的第三组元线缺陷,让缺陷带频率落在二组元体系的带隙中,就可以形成特殊的波导态。声子晶体的这一特性对于声波/弹性波的传播和新的声学应用具有重要意义。
- 易秀英李雪勇周昕
- 关键词：声子晶体三组元线缺陷
- ZnO晶格常数优化和电子结构的第一性原理研究
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下局域密度近似平面波超软赝势法,计算了纤锌矿ZnO的晶格常数、弹性模量、能带结构和态密度。理论预测ZnO是一种直接禁带半导体材料,导带底和价带顶都位于布里渊区中心G点处。计算结果与其他文献结果吻合较好,为ZnO光电材料的设计与应用提供了理论依据。
- 李雪勇夏艳琴刘归
- 关键词：ZNO第一性原理密度泛函理论电子结构
