广东省自然科学基金(020143)
- 作品数：5 被引量：80H指数：5
- 相关作者：魏昕谢小柱胡伟袁慧熊伟更多>>
- 相关机构：广东工业大学西南科技大学中国人民解放军76321部队更多>>
- 发文基金：教育部留学回国人员科研启动基金广东省自然科学基金广东省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信化学工程更多>>
- 晶片材料的超精密加工技术现状被引量：17
- 2004年
- 文章介绍了晶片材料的超精密加工设备以及几种典型晶片材料加工工艺的最新发展 ,综述了几种典型超精密加工设备的特点以及单晶硅片、石英晶体、K9玻璃、钽酸锂单晶材料的加工工艺方法 ,探讨了晶片材料的超精密加工技术的发展趋势。
- 魏昕杜宏伟袁慧解振华
- 关键词：超精密加工抛光光电子元件
- 化学机械抛光中抛光垫表面沟槽的研究被引量：10
- 2008年
- 抛光垫表面沟槽是决定抛光垫性能的重要因素之一。介绍了抛光垫表面沟槽的形状、尺寸和倾斜角度等因素对抛光过程的影响规律,认为:负螺旋对数型沟槽抛光垫的性能最佳,沟槽的深度和宽度会影响加工区域抛光液的平均驻留时间、混和效率及成分,沟槽的倾斜角度也会影响抛光效率,-20°倾斜角抛光垫的抛光效率最高。
- 胡伟魏昕谢小柱
- 关键词：化学机械抛光抛光垫沟槽
- CMP抛光半导体晶片中抛光液的研究被引量：23
- 2006年
- 本文分析了化学机械抛光(CMP)半导体晶片过程中抛光液的重要作用,总结了抛光液的组成及其化学性能(氧化剂、磨料及pH值等)和物理性能(流速、粘性及温度)对抛光效果的影响规律,研究发现:酸性抛光液常用于抛光金属材料,pH最优值为4,碱性抛光液常用于抛光非金属材料,pH最优值为10～11.5;氧化剂能有效提高金属材料的抛光效率和表面平整度;磨料的种类、浓度及尺寸会影响抛光效果;分散剂有助于保持抛光液的稳定性;抛光初始阶段宜采用较低流速,然后逐渐提高;抛光液的粘性会影响晶片与抛光垫之间的接触模式、抛光液的均布、流动及加工表面的化学反应;抛光液温度的升高有助于提高抛光效率.最后本文指出了抛光液循环使用的重要意义及常用方法.
- 胡伟魏昕谢小柱向北平
- 关键词：化学机械抛光抛光液
- 化学机械抛光机理的建模分析
- 本文主要综述了化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing,简称CMP)过程的运动轨迹、接触应力场、材料去除率的几种有代表性的模型,分析了各种模型的优缺点及应用场合,并分析了影响化学机械抛光过程的...
- 魏昕熊伟袁慧杜宏伟
- 关键词：化学机械抛光接触应力材料去除率
- 化学机械抛光中抛光垫的研究被引量：31
- 2004年
- 抛光垫是化学机械抛光 (CMP)系统的重要组成部分。它具有贮存抛光液 ,并把它均匀运送到工件的整个加工区域等作用。抛光垫的性能主要由抛光垫的材料种类、材料性能、表面结构与状态以及修整参数等决定。本文介绍CMP过程常用的抛光垫材料种类、材料性能、表面结构 ,总结了抛光垫的性能对CMP过程影响规律 ,认为 :抛光垫的剪切模量或增大抛光垫的可压缩性 ,CMP过程材料去除率增大 ;采用表面合理开槽的抛光垫 ,可提高材料去除率 ,降低晶片表面的不均匀性 ;抛光垫粗糙的表面有利于提高材料去除率。对抛光垫进行适当的修整可以增加抛光垫表面粗糙度、使材料去除率趋于一致。与离线修整相比较 。
- 魏昕熊伟黄蕊慰袁慧
- 关键词：化学机械抛光抛光垫聚氨酯修整
- 化学机械抛光中抛光垫修整的作用及规律研究被引量：7
- 2007年
- 抛光垫修整是化学机械抛光的重要过程之一。修整后抛光垫的性能主要由修整器的性能和相关的工艺参数决定。本文介绍常用金刚石修整器的颗粒性能、胎体材料及相关工艺参数,总结金刚石修整器在不同条件下对修整性能的影响规律,发现:金刚石颗粒的类型影响修整效率,RAS越大,修整效率越高;颗粒尺寸的增大有利于提高修整效率;粘结力的增大,可以提高修整效率和使用寿命;颗粒的均匀排列有助于抛光垫表面沟槽的形成;使用陶瓷作为胎体材料,可以提高使用寿命;修整压力及转速的增大,可以提高修整效率;修整温度会对抛光垫的沟槽、微孔及硬度产生影响,温度的升高,可以改善修整质量;修整密度越大,抛光垫的磨损率越高。最后对金刚石修整器的发展趋势做出展望。
- 胡伟魏昕谢小柱黄平
- 关键词：化学机械抛光抛光垫修整金刚石颗粒
