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国家重点实验室开放基金(65-TP-2011)

作品数：1 被引量：15H指数：1
相关作者：张瑾翁作海曾庆丰谢聪伟彭军辉更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅陶瓷
  • 1篇多孔
  • 1篇多孔氮化硅
  • 1篇多孔氮化硅陶...
  • 1篇陶瓷
  • 1篇孔隙率
  • 1篇尺寸

机构

  • 1篇西北工业大学

作者

  • 1篇彭军辉
  • 1篇谢聪伟
  • 1篇曾庆丰
  • 1篇翁作海
  • 1篇张瑾

传媒

  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
三维打印结合反应烧结制备多孔氮化硅陶瓷被引量：15
2013年
以硅粉(Si)为起始原料,糊精为粘结剂,采用三维打印(3DP)快速成型技术制备出多孔硅坯体,通过反应烧结得到高孔隙率的氮化硅(Si3N4)陶瓷。研究了反应烧结工艺对3DP多孔Si3N4陶瓷性能的影响。结果表明:3DP成型的硅坯体采用阶梯式升温机制,可得到抗弯强度为(5.1±0.3)MPa,孔隙率达(74.3±0.6)%的多孔Si3N4陶瓷。反应烧结后,样品的线收缩率小于2.0%。三维打印结合反应烧结法实现了复杂形状陶瓷构件的无模制造与净尺寸成型。
翁作海曾庆丰谢聪伟彭军辉张瑾
关键词：多孔氮化硅孔隙率
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